关联效应对CaCuO2的电荷与自旋密度分布的影响

采用杂化密度泛函方法和哈垂-福克方法对CaCuO2的电荷与自旋密度的分布进行了研究. CuO2层的电子结构具有明显的二维特征.电子间的关联效应使Cu离子的自旋极化被削弱的同时,增强了O离子的自旋极化效应.     

关联效应对CaCuO2的电荷与自旋密度分布的影响

采用杂化密度泛函方法和哈垂一福克方法对CaCuO2的电荷与自旋密度的分布进行了研究．CuO2层的电子结构具有明显的二维特征．电子间的关联效应使Cu离子的自旋极化被削弱的同时，增强了O离子的自旋极化效应．     

Fe{O(CH_2CO_2)_2}(H_2O)_2(NO_3)电子结构和磁性的第一性原理研究

采用第一性原理计算研究了Fe{O(CH2CO2)2}(H2O)2(NO3)晶体的电子结构及磁性。该计算采用密度泛函理论(DFT)结合投影缀加波(PAW)方法。计算结果表明,化合物Fe{O(CH2CO2)2}(H2O)2(NO3)具有反铁磁基态,这种反铁磁相互作用来自于最近邻的铁离子;每个分子的自旋磁矩是4.99μB,这和实验结果也是相吻合的。     

真空无压烧结Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的原位合成工艺、结构与性能

采用真空无压烧结方法原位合成制备了一种Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷.采用XRD、SEM分析复合陶瓷的物相和结构,测试复合陶瓷的硬度和强度.试验结果表明,1 350℃保温2h,烧结的Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷,相对密度达到90％以上,生成Ti3SiC2物相的比例在80％以上.由于Al2O3均匀弥散分布,增强了Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的强度,其中Al2O3含量为10wt％时,Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的显微硬度和抗弯强度分别为5.3 ±0.4 GPa和352±6 MPa.     

三氧化二砷对人胃癌裸鼠移植瘤血管生成素-2和血管内皮生长因子表达的影响

目的 研究三氧化二砷(As2O3)对肿瘤血管生成素-2(Ang-2)和血管内皮生长因子(VEGF)表达的影响.方法 用人胃腺癌细胞株SGC7901接种30只裸鼠皮下,建立实体瘤模型;然后随机分为As2O3高剂量(5mg/kg)、低剂量(2.5mg/kg)治疗组和对照组,每组各10只.治疗组接受As2O3腹腔注射10d,对照组注射生理盐水.测量肿瘤体积并计算抑瘤率;免疫荧光标记CD31并计算血管密度;免疫组化方法测定Ang-2的表达;免疫荧光激光共聚焦检测VEGF的表达.结果 砷剂治疗可抑制瘤块生长,2.5mg/kg和5mg/kg As2O3治疗组的抑瘤率分别为30.33%和50.85%.As2O3治疗组的微血管密度(MVD)、VEGF荧光表达水平均显著低于对照组(P＜0.01).Ang-2主要在血管内皮细胞的胞浆中呈强阳性表达,可清晰标记肿瘤内的血管;对照组和As2O3治疗组血管内皮细胞Ang-2表达强度无明显差异.结论 As2O3对Ang-2表达无明显影响,在As2O3治疗抑制瘤细胞VEGF表达的情况下,Ang-2表达可促进血管的退化.Ang-2主要在新生的内皮细胞表达,故可能作为新生血管的标记物,成为肿瘤新生血管研究的新指标.     

轨道不平顺概率模型

为了高效选取轨道不平顺随机样本, 以满足车辆-轨道系统随机动力与可靠度分析中的激振源遍历性要求, 依据轨道随机不平顺的弱平稳与谱相似特征, 提出了一种轨道不平顺概率模型; 采用离散概率积分和统计方法, 在时域中将大量轨道不平顺检测信号分成若干个时程序列, 对每个序列采用谱分析法计算其统计功率谱密度分布; 采用矩阵法对轨道不平顺功率谱密度函数进行集合表征, 视每条谱线在不同频率点的功率谱密度概率具有累加性, 采用单一频率下的功率谱密度概率分布推知整条谱线的出现概率; 采用通用随机模拟方法选取代表性轨道谱, 并反演随机不平顺序列; 实测了某高速铁路约269km的轨道高低和方向不平顺, 基于车辆-轨道耦合动力学理论, 从轨道不平顺模拟幅值与车辆-轨道系统动力响应的概率密度分布出发, 对比了轨道不平顺概率模型与轨道不平顺随机模型的计算结果, 以验证轨道不平顺概率模型的正确性和高效性。计算结果表明: 以2种模型生成的轨道随机不平顺为激振源, 获得的车辆-轨道系统动力响应分布熵差异小于2%, 2种模型均能准确表达不平顺激扰特性; 为保证模拟与实测不平顺的概率密度分布一致, 采用随机模型和概率模型分别需要生成131和33个随机样本, 概率模型具有更高的分析效率; 在给定计算工况下, 轮轨力和车体加速度的幅值分别为38~152kN和-0.042g~0.043g (g为重力加速度), 均未超过《高速铁路设计规范》 (TB 10621—2014) 中的限值(轮轨力为170kN, 车体加速度为0.25g), 表明此高速铁路轨道不平顺状态较优, 行车安全性和舒适性可以得到保证。      

二氯二硫脲合镉晶体的电子结构与光学性质的研究

采用基于平面波赝势方法（PWP）和局域密度近似（LDA）的第一性原理方法,研究了二氯二硫脲合镉（BTCC）晶体的电子结构,能态密度和线性光学性质。研究表明BTCC晶体属间接带隙晶体,带隙值为3.81 eV;电荷密度分析反映Cd和Cl原子,以及氢键对分子组合以及排列结构有重要影响。采用密度矩阵理论计算了介电常数和折射率,理论结果与实验符合甚佳。     

Al2O3基陶瓷基片的制备及其性能

以高纯的α-Al2O3为原料,以烧滑石、碳酸钙、高岭土的形式向其中加入MsO、CaO、SiO2等烧结助剂,采用凝胶注模工艺制备出Al2O3基陶瓷基片．实验结果表明：在烧结温度为1530℃时得到了密度为3．7g／cm^3致密烧结体,晶粒大小在3～5μzm;在20～1000℃范围内,样品的热扩散率为0．0668～0．0154cm^2／s,其大小随着温度的升高而降低;在1kHz～1MHz测试频率范围内,介电常数随频率的升高先降低,之后保持不变;介电损耗随频率的升高先减小,之后又增大．     

利用GAUSSIAN计算NO在TiO2(110)表面吸附和脱附

运用GAUSSIAN半经验分子轨道理论计算一氧化氮(NO)吸附在二氧化钛(TiO2)的(110)面上的Ti5O10原子簇模型,以Ti-NO结合方式的Ti5O10原子簇模型的计算结果表明NO在Ti5O10表面容易发生化学吸附,其吸附的方式为桥式化学吸附,吸附反应放出大量的能量,其能量值为-279.406 kJ/mol,但在热脱附进行过程中,这个稳定的吸附状态,经过一个过渡态,向另一个稳定态发生变化.在整个反应过程中吸附状态的能量最低,说明了吸附的稳定性.     

A12O3基陶瓷基片的制备及其性能

以高纯的α-Al2O3为原料,以烧滑石、碳酸钙、高岭土的形式向其中加入MgO、CaO、SiO2等烧结助剂,采用凝胶注模工艺制备出A12O3基陶瓷基片.实验结果表明:在烧结温度为153℃时得到了密度为3.7 g/cm3致密烧结体,晶粒大小在3～5μm;在20-1000℃范围内,样品的热扩散率为0.0 668～0.0154 cm2/s,其大小随着温度的升高而降低;在1 kHz～1 MHz测试频率范围内,介电常数随频率的升高先降低,之后保持不变;介电损耗随频率的升高先减小,之后又增大.