焊接残余应力对2300客位滚装船船体结构影响

为了找出2 300客位滚装船在实际运营中出现的结构裂缝的原因,运用有限元分析手段,排除了裂缝是结构强度设计引起的可能性,并通过查阅相关资料、实船调研等方式,确定是焊接残余应力引起了船体结构裂缝。最后提出了减少焊接残余应力的处理措施。     

广西路网公路沥青路面病害调查及分析

文章通过广西路网公路沥青路面大规模现场病害调查和室内试验,分析了路网公路沥青路面的主要病害类型及损坏特征,建立了路面残余空隙率、面层强度、油石比、基层强度等性能指标与路面损坏之间的关系,可为沥青路面设计及施工提供参考。     

热管--一种高效实用的散热方法

任何电子器件冷却的热电路都是由3个最基本的热阻组成的:结-壳热阻Rj-c;壳-散热器热阻Rc-s和散热器至周围介质的热阻Rs-a.为降低这些热阻的临界值,许多工程师费尽心血.文章讨论采用热管有助于降低热阻Rs-a至最小值.散热器至周围介质的热阻是由传导、对流/辐射和被加热的冷却介质形成的3个热阻组成的.典型的风冷散热器中,空气温升的热阻是通风量的直接函数,对流热阻是散热表面积的函数,传导热阻是散热器材料的热导率和几何尺寸的函数.热管能把传导损耗降至最小值,它允许加大散热表面,而且使给定风速下的流量最大,从而有效降低散热器的3个主热阻.文章讨论了能降低风冷散热器热阻的热管.     

用离子辐照的快恢复二极管等离子体技术为什么比发射效率降低的快恢复二极管等离子技术好

文章依据较高线电压的扩展比较了具有扩展安全工作区(SOA)的2个4.5 kV二极管.为了改善反向恢复特性,必须降低通态过程中靠近阳极的过剩载流子浓度.为了控制阳极的注入效率,比较了工艺技术的2种状态,即发射掺杂降低和在p掺杂区离子辐照.根据正向低电流密度(如2 A/cm2)恢复时50%的低开关损耗,表明局部寿命控制技术比发射掺杂降低技术更具优势.因此,通态特性一致的器件选择了这种改善.此外,观察到了离子辐照二极管的软开关性能.由校准的计算机仿真提供了用实验方法得到的这种性能的解释.     

不同结构类型的旧路改造升级沥青罩面结构的力学响应研究

本文针对不同结构类型的旧路面改造升级中的沥青罩面结构,建立了三维有限元计算模型,计算对比了半刚性基层路面结构清除旧路面层后加铺沥青层路面结构、旧沥青路面直接加铺沥青罩面结构、旧水泥路面直接加铺沥青罩面结构的力学响应的差异性,确定了三种不同结构的最不利应力及受力位置,并对可能引起的路面病害及防治措施提出了建议,可为以后旧路面改造升级沥青罩面结构选择提供技术指导与参考。     

大功率半导体器件的工艺现状

90年代中期,采用6英寸区融(FZ)硅片(开发于1993年)和硅片工艺设计(开发于90年代)新技术,增加了晶闸管和GTO容量.由于功率器件容量增大,人们须考虑的是如何用自关断器件使功率电子达到更高的性能,进而扩展应用领域.     

有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(二)

介绍了5.2 kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用.穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题.可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰.阳极采用载流子寿命局部分布的IGBT很适合这种应用;拖尾电流间隔时间越短,关断损耗越小.文中集中讨论了穿通型HV IGBT器件串联时的最佳通态等离子体分布,HV IGBT的最新发展趋势似乎与讨论结论相一致.未来先进的HV IGBT技术可完全减轻第一代HV IGBT串联时的困难.     

广州海事:广州港口国监督检查流动工作站正式挂牌成立

正为进一步提升广东海事局PSC检查能力和水平,打造广东海事局PSC监管品牌,6月13日,经认真筹备,周密计划,广州港口国监督检查流动站在广州南沙海事处正式挂牌成立。广东海事局党组书记、局长陈毕伍出席并发表重要讲话,副局长黄斯深主持揭牌仪式。广州海事局党组书记蒋青扬、副局长王沛仕及局监管一处、南沙海事处相关负责人参加。     

异步电动机离散空间矢量调制直接转矩控制的扩充和改善

在传统直接转矩控制(DTC)方法中,由于限制了电压源逆变器(VSI)电压矢量的数量,因此不能区别误差的大小.事实上,误差很大时选择的开关矢量与误差很小时选择的开关矢量相同.为了解决这个问题,考虑到离散空间矢量直接转矩控制(DSVM-DTC)技术,提出了实现异步电动机DSVM-DTC技术的新方法.新方法技术简单,改善了转矩和电流脉动性能,使稳态转矩误差最小,DSVM-DTC新方法中标准VSI拓扑的6个非零电压矢量可分成相等的等分,并根据转矩误差量将一个等分的矢量施加到电动机上,与传统DTC方法基本一致.完成的数字仿真和试验验证了这种新技术的有效性.     

问与答

答：（1）IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是功率MOSFET 技术的派生器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）的低导通损耗和功率MOSFET的高开关速度的特点,是一种电压控制型器件。与晶闸管相比，IGBT速度更快，dv/dt抗干扰和栅极关断能力更好。当某些晶闸管例如GTO由门极关断时，要求有反向门极电流，而IGBT关断时，唯一要求的是栅极电容放电。象MOSFET一样，IGBT是跨导器件，只要保持栅极电压在阈值电压电位以上，便能维持IGBT的充分导通状态。在故障情况下，IGBT表现了可靠耐用的特性。当器件处于端子短路或接地状态时，短路…