柔性显示器用InGaZnO薄膜的第一性原理研究

采用第一性原理研究方法对InGaZnO的电子结构、晶体结构、电学、光学等性质进行了计算。结果表明,与未掺杂的ZnO结构相比,掺杂In、Ga元素使得ZnO结构的费米能级进入导带,使其带隙宽度变窄、导电性增强,适合制备应用于柔性显示器上的透明导电薄膜。     

郑武客运专线勘测中的坐标系统选择

结合郑武客运专线勘测设计,介绍了投影变形的概念,分析了国家统一的坐标系和其他工程上常用的高斯正形投影平面直角坐标系统在郑武客运专线的勘测中的适用情况。通过论证选取了适合郑武客运专线的抵偿投影面的3°高斯正形投影平面直角坐标系统,有效地控制了投影长度变形,满足了客运专线高精度的无碴轨道测量要求。     

真空无压烧结Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的原位合成工艺、结构与性能

采用真空无压烧结方法原位合成制备了一种Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷.采用XRD、SEM分析复合陶瓷的物相和结构,测试复合陶瓷的硬度和强度.试验结果表明,1 350℃保温2h,烧结的Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷,相对密度达到90％以上,生成Ti3SiC2物相的比例在80％以上.由于Al2O3均匀弥散分布,增强了Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的强度,其中Al2O3含量为10wt％时,Al2O3/Ti3SiC2复合陶瓷的显微硬度和抗弯强度分别为5.3 ±0.4 GPa和352±6 MPa.     

Ta:SnO2薄膜的制备与性能研究

SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域.采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8atom.％左右.Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂.Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化.