SiCp／AlSi7Mg1复合材料的摩擦和磨损特性

研究了在№ 20机油摩擦条件下，采用环状试验块、AlSi7Mg1、10SiCp／AISi7Mg1和25％SiCp／A1Si7Mg1的复合材料滑动摩擦行为．试验结果表明，复合材料无论在低载荷或在高载荷时都比没增强基体具有优异的耐磨性能，两种体积率复合材料的磨损速度是其基体的1／8．应用SEM、EDXA观察摩擦表面以研究其机理．     

SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的Si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正.     

SiC半导体材料的特性及其在舰船上的应用

SiC半导体材料具有满足舰船电力电子系统要求的高电压、高频和高温工作的优良特性。本文介绍了它的特性以及在舰船上的应用。     

三电平逆变器的硬件设计

根据三电平逆变器主电路功率开关多,驱动信号不能共地的特点,本文设计一种利用光耦隔离驱动功率开关器件的驱动保护电路,降低电磁干扰,并在过流等异常情况下实时保护功率开关器件。     

一种低压船用固态直流断路器研究

本文介绍了一种基于宽禁带器件SiC JFET的船用固态直流断路器的拓扑和工作原理。结合建模仿真与实际工况,研究了主开关器件、缓冲电路、限压耗能电路等主要元件的参数设计方法。研制了一种375V固态直流断路器原理样机,针对短路故障进行了开断试验,并给出了试验波形。结果表明该固态直流断路器具有快速关断短路电流的能力。     

大功率半导体器件的发展与展望

回顾了现代电力电子器件的发展历史,涉及的器件包括晶闸管、GTO、IGCT、MTO、IGBT、各种改进型的IGBT以及CoolMOS。叙述了采用新型材料的电力电子器件的发展和前景,应用碳化硅和氮化镓材料的功率器件正在迅速地发展,一些器件有望在不远的将来实现商品化,进入电力电子技术市场。     

基于功率MOSFET管的RCC变换器研究

介绍了一种基于功率MOSFET管的RCC变换器,首先分析其工作原理,然后针对功率MOSFET管的特点阐述了RCC变换器电路中功率MOSFET管的驱动和电路参数设计.试验结果证明了该电路的实用性.     

柴油汽车滤清器感应加热装置设计

针对柴油汽车滤清器在冬季气温较低的环境中容易出现被蜡堵塞的实际情况,设计了一套超音频感应加热装置,该装置可直接安装在滤清器内部,具有良好的加热效果。     

全碳反应烧结碳化硅的制备

研究了用PCRBSC方法制备SiC,观察发现用该方法制备的SiC晶粒中存在层状结构。并且由于没预掺α-SiC,反应烧结速度快于RBSC方法,且生成的SiC均为β相,与RBSC方法相比,生成的SiC晶粒更加细小均匀。     

4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析

SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。