反应离子刻蚀工艺中颗粒异常分析与改善

在使用反应离子刻蚀(RIE)工艺制造集成电路中,金属刻蚀后原介质层产生密集黑色颗粒物。采用了隧道扫描电镜(STM)的方法,对样片进行观测分析,结果表明该黑色颗粒为碳化后的胺类副产物。通过对反应过程的分析研究,确定了该问题产生的原因。为了解决该问题,在不改变工艺压力和温度的情况下,调整射频功率来提高反应效率。调整完成后进行了实验验证,结果表明该方法切实有效,颗粒问题得到了明显改善。