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CVD法氮化硅及氮化钛涂层试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用CVD法在三种基材上蒸镀氮化硅及氮化钛,同时在镀层交界处镀过渡金属。经试验表明,以氮以硅为主蒸镀材,炉内温度控制在1250℃,并选定H2气导入量为2700cm^3/min,可获得较理想的镀层。 相似文献
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