双甲基脲晶体的线性与二阶非线性光学性质研究

采用平面波赝势方法(PAW)和局域密度近似(LDA)的第一性原理方法计算了双甲基脲晶体的电子结构,采用密度矩阵理论计算了双甲基脲晶体的介电函数和倍频系数,并将二阶非线性光学系数谱的特征峰与介电函数光谱结合起来,按单、双光子共振项进行分析.与尿素晶体的光学性质比较分析表明:双甲基脲晶体的线性与非线性光学性质与尿素相似,并...     

片状Fe-Si-Al-Cr磁粉复合材料的传导噪声抑制特性研究

通过压延工艺制备了含有片状Fe-Si-Al-Cr合金磁粉的电磁噪声抑制片,采用微带线法表征了样品的传导噪声抑制特性,并研究了磁粉填充浓度和样品厚度对噪声抑制特性的影响。结果表明:材料的传导噪声抑制特性随着磁粉填充浓度或样品厚度的增加而提高,其中填充浓度为85%(质量分数)厚度为1mm的样品在1.86~6 GHz范围内功率损耗比高达90%以上,显示出优异的噪声抑制性能。     

半导体Si和GaAs的GW近似能带结构与BSE吸收光谱的研究

基于密度泛函理论,采用平面缀加波的广义密度近似的PBE泛函和准粒子近似的GW方法对典型的半导体硅Si和砷化镓GaAs的能带结构进行了研究;同时研究了Si和GaAs的光吸收谱,并利用多体微扰理论的BetheSalpeter方程(BSE)进行了修正。计算结果表明,准粒子近似的GW方法对Si和GaAs的能隙预测结果和实验值符合较好,考虑了电子—空穴对激子效应的GW-BSE多体微扰方法计算的Si和GaAs的介电函数吸收谱与实验谱符合最佳;研究说明激子效应在半导体光谱性质分析方面十分重要。     

二氯二硫脲合镉晶体的电子结构与光学性质的研究

采用基于平面波赝势方法（PWP）和局域密度近似（LDA）的第一性原理方法,研究了二氯二硫脲合镉（BTCC）晶体的电子结构,能态密度和线性光学性质。研究表明BTCC晶体属间接带隙晶体,带隙值为3.81 eV;电荷密度分析反映Cd和Cl原子,以及氢键对分子组合以及排列结构有重要影响。采用密度矩阵理论计算了介电常数和折射率,理论结果与实验符合甚佳。