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Cu中空位的计算机模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
王顺花 《兰州交通大学学报》1997,16(4):43-47
采用Finnis-Sinclair类型的多体势模型,用分子动力学方法对纯Cu中的单,双空位进行了计算机模拟研究,计算出单空位的形成能和迁移激活能分别为1.210eV和0.9788eV,双空位的结构能和迁移激活能分别为0.1624eV和0.8214eV,并详细分析了定位近邻原子的位移场。计算所得的结果与实验数据相一致。 相似文献
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