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不断加热富硅SiC（0001）样品,分别用低能电子衍射（LEED）仪,扫描隧道显微镜（STM）观察,当加热到950℃时,出现SiC（0001）（√3×√3）R30°重构面的LEED和STM图样.利用X射线光电子能谱仪,记录发自SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的角分辨X射线光电子能谱（XPS）.采用最小二乘法,对内层能级的能量进行解旋,使其与实验数据拟合.分析实验结果,得出SiC（0001）（√3×√3）R30°结构中Si2p和C1s的能态结构,并与体内的Si2p和C1s的能态进行比较,得出表面Si2p态的能量漂移,进而发现SiC（0001）（√3×√3）R30°重构面仅由硅原子形成. 相似文献
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以具有三量子阱有源区的GaAs/Al0.15Ga0.85As量子级联激光器中的子带间;声学声子辐射散射为研究对象,从理论上研究了三量子阱有源区中的量子阱和势垒厚度的变化对声学声子辐射散射时间的调制作用.通过对子带间的声学声子辐射散射的总跃迁速率与相应的子带间的总自发辐射速率的比较,研究了声学声子辐射散射对量子级联激光器的辐射发光性能的影响. 相似文献
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