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| 用于低压和高压器件的IGBT的额定过载特性 | |
| 引用本文： | 黄慧.用于低压和高压器件的IGBT的额定过载特性[J].变流技术与电力牵引,2006(1):23-29. |
| 作者姓名： | 黄慧 |
| 摘 要： | 具有薄n基区和低掺杂场截止层新结构的非穿通绝缘栅双极型晶体管NPT IGBT明显降低了总损耗.特别是场截止概念与挖槽晶体管单元的结合能产生通态电压最小、开关损耗最低、载流子浓度近乎理想的器件.这种概念在600V～6.5 kV以上的IGBT和二极管中得到了发展.当折衷性能和总耐量与电压和电流额定值无关时,低压器件的开关特性与高压晶体管(VBr＞2 kV)的处理方法不同.采用HE-EMCON二极管和高达1 700 V的新型场截止NPT IGBT,几乎不受开关性能的限制,不过,需考虑的是外部栅极电阻必须取确定值.相比低压晶体管,高压器件的电流密度较低,因而高压二极管和IGBT中的"动态"电场强度更临界. |
| 关 键 词： | 续流二极管 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 过载关断性能 耐量 短路 低压 高压器件 IGBTs 过载特性 Devices Characteristics 临界 电场强度 动态 高压二极管 电流密度 确定值 电阻 栅极 开关性能 处理方法 高压晶体管 开关特性 额定值 耐量 |
| 文章编号： | 1671-8410（2006）01-0023-07 |
Rated Overload Characteristics of IGBTs for Low-Voltage and High-Voltage Devices |
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| L. Lorenz.Rated Overload Characteristics of IGBTs for Low-Voltage and High-Voltage Devices[J].Converter Technology & Electric Traction,2006(1):23-29. | |
| Authors: | L Lorenz |
| Abstract: | |
| Keywords: | freewheeling diode IGBT over-loaded turn-off behavior robustness short circuit |
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