WnSi^0,±(n=1~5)团簇结构和稳定性的密度泛函理论研究 |
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作者姓名: | 张秀荣 刘小芳 |
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作者单位: | 张秀荣(江苏科技大学,高等教育研究所,江苏,镇江,212003);刘小芳(江苏科技大学,数理学院,江苏,镇江,212003) |
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基金项目: | 江苏省高校自然科学基金资助项目 |
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摘 要: | 用密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)中的B3LYP/lanl2dz方法,优化并得到了WnSi^0,±(n=1~5)团簇的各种稳定构型,并对基态构型的能量进行了系统的理论分析.结果表明:WnSi^0,±团簇基态结构与Wn+1团簇的生长模式相似,除W3Si+团簇与W5Si^-团簇外,阳离子与阴离子团簇的稳定结构基本上保持了对应中性团簇的稳定结构;WSi团簇相对于其他团簇更易得到电子变成负离子,W5Si团簇较易失去电子变成阳离子;W3Si团簇具有较弱的化学活性,W5Si-团簇具有较强的化学活性.
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关 键 词: | WnSi0,±团簇 结构 稳定性 密度泛函理论 |
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