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| 拓扑绝缘体薄膜和有限尺寸效应 | |
| 引用本文： | 张翼,何珂,马旭村,薛其坤. 拓扑绝缘体薄膜和有限尺寸效应[J]. 舰船电子工程, 2012, 40(7) |
| 作者姓名： | 张翼 何珂 马旭村 薛其坤 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京100190 2. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京100190;清华大学物理系 低维量子物理国家重点实验室 北京 100084 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划 |
| 摘 要： | 拓扑绝缘体是近年来发现的一类新的量子材料,已成为凝聚态物理的研究热点领域.厚度仅几纳米的拓扑绝缘体薄膜不但具有奇特的物理性质,而且还是拓扑绝缘体应用于平面器件的基础.文章以Bi2 Se3为例,介绍了Bi2 Se3家族拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长以及其能带、自旋结构和拓扑性质随层厚的演化.这些结果为人工调控拓扑绝缘体的电子结构和物理性质提供了指导. |
| 关 键 词： | 拓扑绝缘体 Bi2 Se3 分子束外延 角分辨光电子能谱 扫描隧道显微镜 |
Topological insulator thin films and finite size effects |
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| ZHANG Yi , HE Ke , MA Xu-Cun , XUE Qi-Kun. Topological insulator thin films and finite size effects[J]. Ship Electronic Engineering, 2012, 40(7) | |
| Authors: | ZHANG Yi HE Ke MA Xu-Cun XUE Qi-Kun |
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