IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展 |
| |
作者姓名: | 吴义伯 戴小平 王彦刚 李道会 刘国友 |
| |
作者单位: | 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心(Lincoln分中心) |
| |
摘 要: | 随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端子引出互连等3种先进互连技术及其封装工艺的优缺点,讨论了功率电子模块封装及互连技术所面临的问题与挑战。
|
关 键 词: | IGBT 功率模块 封装技术 互连技术 引线键合 贴片焊接 功率端子 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|