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| 国产化6500V/200A高压大功率IGBT的研制 | |
| 作者单位： | ;1.中车永济电机有限公司技术中心;2.上海北车永电电子科技有限公司 |
| 摘 要： | 研制的IGBT器件采用完全国产化芯片,通过ANSYS仿真软件对电磁场、热、应力分布等特性进行仿真,实现IGBT器件结构设计最优化;研制的高压大功率IGBT通过了器件、功率模块、辅助变流柜和机车级的试验验证。试验结果满足设计要求,并已形成了芯片—IGBT器件—功率模块—变流器完整产业链,成功批量应用在国内轨道交通领域,具有重大的社会意义和市场前景。 |
| 关 键 词： | IGBT 功率模块 封装 双脉冲测试 优化设计 高压大功率 ANSYS仿真 |
Development of 6500 V/200 A High-voltage and High-power Localization IGBT |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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