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| 富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究 | |
| 引用本文： | 肖淑娟.富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究[J].上海海运学院学报,2003,24(1):60-62. |
| 作者姓名： | 肖淑娟 |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外（IR）透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 (2-x)Si化学反应。SiO2与纳米晶硅（nc-Si)界面上与氧有关的缺陷（NBOHC）是蓝光发射（2．8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有1．8eV的发光，可能与硅缺陷有关。 |
| 关 键 词： | 富硅二氧化硅薄膜 蓝光发射 非桥键氧空穴中心 |
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