酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析 |
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引用本文: | 梁海峰,王东兴,薛严冰. 酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析[J]. 大连交通大学学报, 2004, 25(3): 71-74 |
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作者姓名: | 梁海峰 王东兴 薛严冰 |
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作者单位: | 大连交通大学,电气信息学院,辽宁,大连,116028;大连交通大学,电气信息学院,辽宁,大连,116028;大连交通大学,电气信息学院,辽宁,大连,116028 |
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摘 要: | 利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因.
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关 键 词: | 静电感应三极管 有机半导体 肖特基势垒 栅源电压 薄膜三极管 |
文章编号: | 1000-1670(2004)03-0071-04 |
修稿时间: | 2004-01-27 |
Active Characteristics of thin Film Organic Static Induction Transistors Using Copper Phthalocyanine |
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Abstract: |
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Keywords: | |
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