| IGCT器件制造中的离子注入扩散技术 |
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| 引用本文： | 张明.IGCT器件制造中的离子注入扩散技术[J].变流技术与电力牵引,2006(5):23-25,45. |
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| 作者姓名： | 张明 |
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| 作者单位： | 株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部,湖南株洲412001 |
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| 摘 要： | 概述了电力电子器件中的扩散方法,提出了采用离子注入的试验方案,经试验得到了离子注入扩散的规律.在集成门极换向晶闸管(IGCT)器件的阴极端成功实现了硼、铝双杂质离子注入扩散层的正确分布,从而证实了该方法的可行性.
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| 关 键 词： | IGCT 离子注入扩散 杂质分布图 IGCT 器件制造 离子注入 扩散技术 Technique Implantation 分布 扩散层 阴极 集成门极换向晶闸管 规律 试验方案 方法 电力电子器件 |
| 文章编号： | 1671-8410（2006）05-0023-03 |
| 收稿时间： | 2006-07-25 |
| 修稿时间： | 2006-07-25 |
Ion Implantation Technique in the IGCT's Process |
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| ZHANG Ming.Ion Implantation Technique in the IGCT''''s Process[J].Converter Technology & Electric Traction,2006(5):23-25,45. |
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| Authors: | ZHANG Ming |
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| Institution: | Power Electronics Division, Zhuzhou CSR Times Electric Co.,Ltd.,Zhuzhou,Hunan 412001,China |
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| Abstract: | It is reviewed the various diffusion methods in power electronic devices, A unique experiment plan for ion implantation is presented and the diffusion curve is obtained. The new diffusion technique has been applied to the manufacture of IGCT at the cathode side. Both the boron and aluminum impurities get the required profile. The plan is proved successfully. |
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| Keywords: | IGCT Ion implantation diffusion impurity profile |
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