| SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的XPS分析 |
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| 引用本文： | 王秀娥,章小丽,洪正平,徐昌贵.SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的XPS分析[J].北方交通大学学报,2010(6):100-102,106. |
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| 作者姓名： | 王秀娥 章小丽 洪正平 徐昌贵 |
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| 作者单位： | [1]北京工商大学机械工程学院,北京100048 [2]北京交通大学理学院,北京100044 [3]山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014 |
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| 基金项目： | 北京市教委科技计划项目资助（KM201010011007） |
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| 摘 要： | 不断加热富硅SiC（0001）样品,分别用低能电子衍射（LEED）仪,扫描隧道显微镜（STM）观察,当加热到950℃时,出现SiC（0001）（√3×√3）R30°重构面的LEED和STM图样.利用X射线光电子能谱仪,记录发自SiC（0001）（√3×√3）R30°结构的角分辨X射线光电子能谱（XPS）.采用最小二乘法,对内层能级的能量进行解旋,使其与实验数据拟合.分析实验结果,得出SiC（0001）（√3×√3）R30°结构中Si2p和C1s的能态结构,并与体内的Si2p和C1s的能态进行比较,得出表面Si2p态的能量漂移,进而发现SiC（0001）（√3×√3）R30°重构面仅由硅原子形成.
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| 关 键 词： | 表面重构 能态 光电子 能谱 能量漂移 |
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