| 开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响 |
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| 引用本文： | 张文亮, 余伟, 杨飞, 等. 开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响[J]. 机车电传动, 2023(5): 152-161.DOI：10.13890/j.issn.1000-128X.2023.05.017 |
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| 作者姓名： | 张文亮 余伟 杨飞 崔雷 廖辰玮 李文江 |
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| 作者单位： | 1.山东阅芯电子科技有限公司,山东威海 264315;2.株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲 412001;3.江苏芯长征微电子集团股份有限公司,江苏南京 211102 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划项目(2018YFB1201804) |
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| 摘 要： | 为更好地开展功率半导体器件的双脉冲测试,文章系统性地研究了开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响.通过理论分析结合仿真验证的方式分别研究了 IGBT器件和MOSFET器件开关特性与开通脉宽之间的关系,研究发现,IGBT器件和MOSFET器件都会受到关断延时电流偏差和测量自热效应的影响:如果开通脉宽太小,关断延时电流偏差会影响双脉冲测试结果;如果开通脉宽太大,测量自热效应会显著影响双脉冲测试结果;同时,当开通脉宽太小时,IGBT器件的双脉冲测试结果还会额外受到非稳态开关效应影响,而非稳态开关效应会导致测试波形振荡严重,可能损坏器件,但MOSFET器件不会受到非稳态开关效应的影响.研究结果表明,IGBT器件和MOSFET器件都存在一个合理的开通脉宽(或负载电感电感值)范围,在该范围内器件的开关特性几乎不受开通脉宽的影响,而上限临界脉宽建议通过产品手册的热阻抗曲线进行估算,下限临界脉宽建议通过双脉冲实测的方式来确认.
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| 关 键 词： | 功率半导体器件 双脉冲测试 测量自热效应 非稳态开关效应 关断延时电流偏差 |
| 收稿时间： | 2023-07-20 |
| 修稿时间： | 2023-08-24 |
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