寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响及其抑制 |
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引用本文: | 伍理勋,韩洋,陆海峰,陈磊.寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响及其抑制[J].汽车电器,2018(7). |
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作者姓名: | 伍理勋 韩洋 陆海峰 陈磊 |
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作者单位: | 株洲中车时代电气股份有限公司;清华大学电机工程与应用电子系 |
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摘 要: | SiC器件具有高结温、高阻断电压、高热导、低损耗等特点,在电动汽车电机控制器方面具有巨大的应用前景。但由于SiC MOSFET的开关速度更快,在寄生参数的作用下,开关振荡比Si基器件严重很多。本文将研究寄生电感对SiC MOSFET开关振荡的影响,对基于SiC器件的变换电路PCB设计给予一定的指导,并给出了抑制SiC MOSFET开关振荡的建议。
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