| 全碳反应烧结碳化硅的制备 |
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| 引用本文： | 刘小磐,赵修建,徐学文,武七德. 全碳反应烧结碳化硅的制备[J]. 湖北汽车工业学院学报, 2003, 17(2): 28-30 |
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| 作者姓名： | 刘小磐 赵修建 徐学文 武七德 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 国家九五攻关资助项目(96-A10-07) |
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| 摘 要： | 研究了用PCRBSC方法制备SiC,观察发现用该方法制备的SiC晶粒中存在层状结构。并且由于没预掺α-SiC,反应烧结速度快于RBSC方法,且生成的SiC均为β相,与RBSC方法相比,生成的SiC晶粒更加细小均匀。
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| 关 键 词： | 反应烧结 层状结构 SiC |
| 文章编号： | 1008-5483(2003)02-0028-03 |
| 修稿时间： | 2003-03-07 |
The Manufacture of Pure Carbide Reaction Bond SIC |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC |
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