| 基于改进TRL校准算法的二极管参数测量 |
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| 引用本文： | 易波, 王为, 刘培国, 杨成, 董雁飞, 刘晨曦, 李岩. 基于改进TRL校准算法的二极管参数测量[J]. 中国舰船研究, 2015, 10(2): 121-124. DOI: 10.3969/j.issn.1673-3185.2015.02.023 |
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| 作者姓名： | 易波 王为 刘培国 杨成 董雁飞 刘晨曦 李岩 |
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| 作者单位： | 1国防科学技术大学 电子科学与工程学院,湖南 长沙 410073;2 中国人民解放军61123部队,北京 100309 |
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| 基金项目： | 国家级重大基础研究项目 |
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| 摘 要： | 加载二极管的频率选择表面和能量选择表面（以下统称“自激励表面”）具有自适应的防护特征，能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节，准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法，针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点，改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法；测量几种不同PIN型号的二极管，通过对比PIN参数手册与测试结果，验证了测试方法的有效性。
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| 关 键 词： | 去嵌入法 PIN二极管测量 TRL校准算法 |
| 收稿时间： | 2014-10-01 |
| 修稿时间： | 2015-04-09 |
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