PSPICE在IGBT开关过程分析中的应用研究

本文在分析了ＩＧＢＴ的半导体结构之后，提出了一种复合模型结构，利用ＰＳＰＩＣＥ中已有的功率ＭＯＳＦＥＴ和双极性晶体管模型组合成ＩＧＢＴ等效模型，通过参数的合理选择，使得这种复合模型的外特性与ＩＧＢＴ的特性十分相似，随后应用这种模型分析了一种ＩＧＢＴ斩波电路的工作情况，并设计了一种读取ＰＳＰＩＣＥ输出数据计算ＩＧＢＴ工作过程中的动态和静态功耗的方法。