轨道交通混合SiC IGBT器件与Si IGBT器件应用对比研究

混合SiCIGBT采用SiC肖特基二极管替换传统IGBT器件中的反并联二极管,可以减少二极管反向恢复损耗和IGBT开通损耗,相对于传统的SiIGBT器件,其性能大幅提升,相比于高压大功率全SiC器件,混合SiCIGBT在成本和技术成熟度方面具有较大优势。文章根据混合SiCIGBT器件特性开发了符合混合SiCIGBT器件应用需求的低换流回路杂散电感的变流器模块,研究了换流回路杂散电感对混合SiCIGBT开关特性的影响。试验结果表明：变流模块杂散电感对混合SiCIGBT开通振荡电压幅值与持续时间具有较大的影响;使用混合SiCIGBT器件比使用SiIGBT器件可以降低约25%的系统损耗。