（ZnCd）Se／ZnSe多量子阱光电压特性

在温度１８￣３００Ｋ范围内测量了以ＧａＡｓ为衬底的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层多量子阱的光电压谱。发现（ＺｎＣｄ）Ｓｅ／ＺｎＳｅ量子阱具有显著的量子限制效应；激子束缚能大，直至室温仍然能观测到清晰的激子跃迁峰。实验结果与理论计算结果基本一致。