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| 焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响 | |
| 引用本文： | 陈晓,王岩国,谷林,张志华.焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响[J].大连交通大学学报,2019(3). |
| 作者姓名： | 陈晓 王岩国 谷林 张志华 |
| 作者单位： | 大连交通大学材料科学与工程学院;中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且I-V曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,I-V曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是I-V曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考. |
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