IGBT模块银烧结工艺引线键合工艺研究 |
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作者姓名: | 张浩亮 方杰 徐凝华 |
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作者单位: | 1.株洲中车时代半导体有限公司,湖南 株洲 412001;2.新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南 株洲 412001 |
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摘 要: | 主要研究了应用于IGBT模块封装中的银烧结工艺和铜引线键合工艺,依据系列质量表征和评价方法,分别验证并优化了银烧结和铜引线键合的工艺参数,分析了衬板镀层对烧结层和铜线键合界面强度的影响,最后对试制的模块进行浪涌能力和功率循环寿命测试。结果显示,与普通模块相比,搭载银烧结和铜线键合技术的模块浪涌能力和功率循环寿命均有大幅的提升,并且银烧结和铜线键合界面未见明显的退化。
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关 键 词: | 银烧结 铜线键合 可靠性 功率循环 |
收稿时间: | 2020-08-30 |
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