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一种三电平IGBT逆变器吸收电路的研究
引用本文:王俊炎,胡安,孙驰.一种三电平IGBT逆变器吸收电路的研究[J].船电技术,2010,30(4):1-6.
作者姓名:王俊炎  胡安  孙驰
作者单位:海军工程大学电力电子技术研究所,武汉,430033;海军工程大学电力电子技术研究所,武汉,430033;海军工程大学电力电子技术研究所,武汉,430033
摘    要:本文指出了一种三电平IGBT逆变器简化吸收电路工作时存在的两种瞬时短路过电流现象,对此短路电流产生的原因进行了分析;提出了一种用于二极管箝位型三电平主电路半桥测试方法,该方法模拟了三电平电路含有死区时间的各种实际开关工作状态。利用该测试方法,对该吸收电路进行了测试,仿真和实验证实了此短路电流的存在及该测试方法的有效性。

关 键 词:三电平逆变器  吸收电路  测试方法

Research on a Snubber Circuit for Three-level IGBT Inverter
Wang Junyan,Hu An,Sun Chi.Research on a Snubber Circuit for Three-level IGBT Inverter[J].Marine Electric & Electronic Technology,2010,30(4):1-6.
Authors:Wang Junyan  Hu An  Sun Chi
Institution:(Research Institute of Power Electronic Technique and Application, Naval University of Engineering, Wuhan 430033, China)
Abstract:In this paper, two kinds of current overshoot phenomenon in a snubber circuit for three-level IGBT inverter are indicated. The reasons for this over-current are analyzed. A new testing method for diode clamping three-level inverter is proposed. In this method, the three-level circuit contains a variety of dead-time of the actual switching state is simulated. It is proved by Simulation and prototype experimental results that the testing method proposed is validly and feasibly.
Keywords:three-level inverter  snubber circuit  testing method
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