| SiNx薄膜的光致发光研究 |
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| 引用本文： | 万桂新,陈全海.SiNx薄膜的光致发光研究[J].兰州铁道学院学报,2008,27(1):160-163. |
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| 作者姓名： | 万桂新 陈全海 |
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| 作者单位： | [1]兰州交通大学数理与软件工程学院,甘肃兰州730070 [2]兰州市第一中学,甘肃兰州730000 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射技术制备了氮化硅薄膜,室温下测试了薄膜的光致发光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE),对薄膜材料的发光特性进行了分析.结果表明,在可见光范围内薄膜有很好的光致发光性质.在波长为381 nm的光激发下,SiNx薄膜的主要发光峰位于520 nm(2.38 eV), 553 nm(2.24 eV), 573 nm(2.16 eV),587 nm(2.11 eV)和627 nm(1.98 eV),主要来自电子在导带与缺陷能级才以及缺陷能级与价带之间的辐射复合.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 氮化硅薄膜 光致发光 |
| 文章编号： | 1001-4373(2008)01-0160-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月3日 |
Photoluminescence Study of Silicon Nitride Films |
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| WAN Gui-xin,CHEN Quan-hai.Photoluminescence Study of Silicon Nitride Films[J].Journal of Lanzhou Railway University,2008,27(1):160-163. |
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| Authors: | WAN Gui-xin CHEN Quan-hai |
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