| Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能 |
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| 引用本文： | 范希梅,周祚万,李艳霞,张会广.Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能[J].西南交通大学学报,2008,43(6). |
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| 作者姓名： | 范希梅 周祚万 李艳霞 张会广 |
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| 作者单位： | 材料先进技术教育部重点实验室,四川成都,610031 |
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| 摘 要： | 用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373~383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510~540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.
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| 关 键 词： | T-ZnO 晶须 场发射性能 紫外光发射 Al掺杂 |
Field Emission and Photoluminescence Properties of Al-Doped T-ZnO Whiskers |
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| FAN Ximei,ZHOU Zuowan,LI Yanxia,ZHANG Huiguang.Field Emission and Photoluminescence Properties of Al-Doped T-ZnO Whiskers[J].Journal of Southwest Jiaotong University,2008,43(6). |
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| Authors: | FAN Ximei ZHOU Zuowan LI Yanxia ZHANG Huiguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | T-ZnO whisker field emission property ultraviolet emission |
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