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| 铜—氧化硅复合由沉积过程的交流阻抗测试分析 | |
| 引用本文： | 杜克勤,邹恩义.铜—氧化硅复合由沉积过程的交流阻抗测试分析[J].大连铁道学院学报,1998,19(1):80-84. |
| 作者姓名： | 杜克勤 邹恩义 |
| 作者单位： | 大连铁道学院应用化学系 |
| 摘 要： | 通过交流阻抗测试法研究了Ｃｕ－Ｓｉ３Ｎ４复合电沉积过程Ｓｉ３Ｎ４微粒对阴极电化学行为的影响。结果表明：Ｓｉ３Ｎ５粒子在电极表面存在吸附，阴极极化增加，吸附增强；吸附粒子阻碍金属离子阴极放电沉积。 |
| 关 键 词： | 交流阻抗 复合电沉积 吸附 铜 氮化硅 |
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