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| ICP-PECVD法制备类金刚石膜 | |
| 引用本文： | 孙丽,白杰,朱立强,刘东平.ICP-PECVD法制备类金刚石膜[J].大连交通大学学报,2009,30(2). |
| 作者姓名： | 孙丽 白杰 朱立强 刘东平 |
| 作者单位： | 1. 大连交通大学,机械工程学院,辽宁,大连116028 2. 大连交通大学,机械工程学院,辽宁,大连116028;大连民族学院,光电子技术研究所,辽宁,大连116600 3. 大连民族学院,光电子技术研究所,辽宁,大连116600 |
| 摘 要： | 以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-PECVD)法制备了类金刚石薄膜,使用.FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行r表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断(OES).研究了射频功率和基底在放电腔体中的佗置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响.实验结果表明:A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小.光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势.结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素. |
| 关 键 词： | 类金刚石膜 粗糙度 沉积速率 光谱诊断 |
Study of Diamond-Like Carbon Films by ICP-PECVD |
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| SUN Li,BAI Jie,ZHU Li-qiang,LIU Dong-ping.Study of Diamond-Like Carbon Films by ICP-PECVD[J].Journal of Dalian Jiaotong University,2009,30(2). | |
| Authors: | SUN Li BAI Jie ZHU Li-qiang LIU Dong-ping |
| Abstract: | |
| Keywords: | ICP-PECVD |
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