| 有机半导体薄膜三极管的研制 |
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| 引用本文： | 朱敏,王东兴,车仁信,薛严冰,时维国,田中国昭.有机半导体薄膜三极管的研制[J].大连交通大学学报,2001,22(1):64-68. |
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| 作者姓名： | 朱敏 王东兴 车仁信 薛严冰 时维国 田中国昭 |
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| 作者单位： | 1. 大连铁道学院电气工程系
2. 日本千叶大学 |
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| 摘 要： | 采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价.制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比导电沟道长大幅缩短，而且通过适当的梳状电极结构设计，获得了良好的动作特性.有机SIT的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系.
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| 关 键 词： | 三极管 铜酞化氰 有机半导体 |
| 文章编号： | 1000-1670(2001)01-0064-05 |
| 修稿时间： | 2000年11月6日 |
Study and Fabricating of Organic Semiconductor Film Transistor |
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| ZHU Min,WANG Dong-xing,CHE Ren-xin,XUE Yan-bing,SHI Wei-guo,KUNIAKI Tanaka.Study and Fabricating of Organic Semiconductor Film Transistor[J].Journal of Dalian Jiaotong University,2001,22(1):64-68. |
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| Authors: | ZHU Min WANG Dong-xing CHE Ren-xin XUE Yan-bing SHI Wei-guo KUNIAKI Tanaka |
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| Abstract: | Static induction transistors (SIT) are fabricated using copper-phthalocyanine(CuPc) evaporated films. From the experimental results, it is found that source-drain current can be controlled by the bias voltage applied to A1 gate electrode. The device characteristics depend on the gate bias voltage and structure of Al electrode, and it will be used for display device. Look towards new device characteristics which to choose hi-mobility organic semiconductors materials and to contrive structure of SIT. |
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