| 有机静电感应三极管的有限元法仿真解析 |
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| 引用本文： | 井岩,王东兴.有机静电感应三极管的有限元法仿真解析[J].大连交通大学学报,2002,23(4):45-49. |
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| 作者姓名： | 井岩 王东兴 |
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| 作者单位： | 大连铁道学院电气信息分院,辽宁,大连,116028 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金，， |
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| 摘 要： | 通过合理建立有机静电感应三极管(OSIT的物理仿真模型及选取合适的结构参数,采用有限元法,对OSIT在不同偏压下仿真计算其内部电位分布,进行了探索性研究.依据仿真计算结果,获得OSIT导电沟道内部电位分布,进而分析OSIT的工作特性,以及OSIT的工作特性与偏压和结构参数的依赖关系.
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| 关 键 词： | 有限元法 仿真 有机静电感应三极管 |
| 文章编号： | 1000-1670(2002)04-0045-05 |
| 修稿时间： | 2002年4月19日 |
Computer Simulation of the Resolution to Organic Static Induction Transistor by Finite Element Method |
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