| SiGe缓冲层对β-SiC(n)/c-Si(p)异质结特性的影响 |
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| 引用本文： | 张彩珍,刘肃,陈永刚,吴蓉,刘春娟.SiGe缓冲层对β-SiC(n)/c-Si(p)异质结特性的影响[J].兰州铁道学院学报,2008,27(4). |
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| 作者姓名： | 张彩珍 刘肃 陈永刚 吴蓉 刘春娟 |
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| 作者单位： | [1]兰州交通大学电子与信息工程学院,甘肃兰州730070 [2]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 [3]兰州交通大学自动化与电气工程学院,甘肃兰州730070 |
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| 摘 要： | SiC/Si的界面特性严重影响着SiC/Si异质结的电学特性及光学特性.在β-SiC(n)/c-Si(p)异质结中引入SiGe缓冲层,构造了Al/β-SiC(n)/SiGe/c-Si(p)/Al典型的三明治异质结结构.对带有和不带SiGe缓冲层的β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面SEM图像,正反向I-V特性曲线及QE作了对比研究,理论和实验均表明,SiGe缓冲层的引入可以有效地改善β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面特性,减少界面缺陷,从而提高异质结的反向击穿电压及整流比,展宽异质结光谱响应范围,提高量子效率QE,且使QE的峰值点发生明显红移.
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| 关 键 词： | 异质结 SiGe缓冲层 |
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