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| SiC混合IGBT器件应用研究 | |
| 引用本文： | 唐威,忻力,魏海山,陈玉其,欧阳柳,张东辉.SiC混合IGBT器件应用研究[J].变流技术与电力牵引,2015(2):40-43. |
| 作者姓名： | 唐威 忻力 魏海山 陈玉其 欧阳柳 张东辉 |
| 作者单位： | 南车电气技术与材料工程研究院 |
| 摘 要： | Si C功率器件具有高频、高效率、高功率、耐高温、抗辐射等优点。文章介绍了目前Si C功率器件应用情况,阐述了Si C pn结肖特基势垒(JBS)、Si C-MOSFET以及Si C混合IGBT的特性,分析了应用于1 700 V Si C混合IGBT的可编程驱动技术;最后简述了Si C模块功率试验情况。 |
| 关 键 词： | SiC功率器件 混合IGBT 驱动技术 功率试验 |
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