| PEDOT:PSS与n-Silicon有效接触面积对基于n-Silicon/PEDOT:PSS杂化光伏电池性能的影响 |
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| 引用本文： | 张云芳,厉淑贞,刘庭威,陈小龙,李婷玉.PEDOT:PSS与n-Silicon有效接触面积对基于n-Silicon/PEDOT:PSS杂化光伏电池性能的影响[J].江苏科技大学学报(社会科学版),2019,33(1). |
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| 作者姓名： | 张云芳 厉淑贞 刘庭威 陈小龙 李婷玉 |
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| 作者单位： | 江苏科技大学 理学院,镇江,212003;江苏科技大学 理学院,镇江,212003;江苏科技大学 理学院,镇江,212003;江苏科技大学 理学院,镇江,212003;江苏科技大学 理学院,镇江,212003 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学青年基金资助项目 |
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| 摘 要： | 文中以具有不同硅纳米结构的硅片为基底制备了基于共轭聚合物聚3,4二氧乙烯噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)/硅(Si)的有机/无机杂化光伏电池,研究了PEDOT:PSS与Si基底形成的有效肖特基结接触面积对器件性能的影响,电池的电流密度-电压曲线(J-V)和扫描电子显微镜(SEM)的结果表明:增加形成的有效肖特基结面积,可有效提高器件的短路电流密度和填充因子.
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| 关 键 词： | 硅 聚3 4二氧乙烯噻吩:聚苯乙烯磺酸 有效接触 |
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