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| 基于改进TRL校准算法的二极管参数测量 | |
| 引用本文： | 易波,王为,刘培国,杨成,董雁飞,刘晨曦,李岩.基于改进TRL校准算法的二极管参数测量[J].中国舰船研究,2015(2):121-124. |
| 作者姓名： | 易波 王为 刘培国 杨成 董雁飞 刘晨曦 李岩 |
| 作者单位： | 国防科学技术大学电子科学与工程学院;中国人民解放军61123部队 |
| 基金项目： | 国家级重大基础研究项目 |
| 摘 要： | 加载二极管的频率选择表面和能量选择表面(以下统称"自激励表面")具有自适应的防护特征,能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节,准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法,针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点,改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法;测量几种不同PIN型号的二极管,通过对比PIN参数手册与测试结果,验证了测试方法的有效性。 |
| 关 键 词： | 去嵌入法 PIN二极管测量 TRL校准算法 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |