| 轨道交通混合SiC IGBT器件与Si IGBT器件应用对比研究 |
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| 作者姓名： | 田伟 谢舜蒙 陈燕平 张荣 朱武 刘杰 谭一帆 |
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| 作者单位： | 中车株洲所电气技术与材料工程研究院,湖南,株洲,412001 |
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| 摘 要： | 混合SiCIGBT采用SiC肖特基二极管替换传统IGBT器件中的反并联二极管,可以减少二极管反向恢复损耗和IGBT开通损耗,相对于传统的SiIGBT器件,其性能大幅提升,相比于高压大功率全SiC器件,混合SiCIGBT在成本和技术成熟度方面具有较大优势。文章根据混合SiCIGBT器件特性开发了符合混合SiCIGBT器件应用需求的低换流回路杂散电感的变流器模块,研究了换流回路杂散电感对混合SiCIGBT开关特性的影响。试验结果表明：变流模块杂散电感对混合SiCIGBT开通振荡电压幅值与持续时间具有较大的影响;使用混合SiCIGBT器件比使用SiIGBT器件可以降低约25%的系统损耗。
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| 关 键 词： | 轨道交通 混合SiC IGBT Si IGBT 杂散电感 损耗 仿真 |
| 收稿时间： | 2020-09-05 |
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