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| 基于IGBT浪涌过压预测保护与提高利用率的研究 | |
| 作者姓名： | 朱世武 黄承 姚明 吴建雄 廖远辉 |
| 作者单位： | 1.南车电气技术与材料工程研究院;2.株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 摘 要： | 通过对IGBT芯片技术发展与英飞凌第4代IGBT主要技术特性的分析,给出了一种基于IGBT关断软特性与稳定性来进行浪涌过压预测保护的方法,并由此提出了在工程设计中提高IGBT利用率的应用策略。 |
| 关 键 词： | IGBT 浪涌过压 预测保护 IGBT利用率 |
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