硅整流元件的反向耐压

交通部下达我所的硅整流元件任务,要求正向电流300A,反向峰值电压1200V,300A/1200V元件合格率(即上车率)以投片数计超过50%。但是以往并没有达到这一要求,例如从今年1月到5月,300A/1200V上车元件占烧结片总数的19%,1200V以上管     

800安硅整流元件正向压降测试

整流元件的正向压降包括接触压降,势垒压降及体压降三部分。这三部分压降是怎样随注入情况变化的?他们与不同的结构参数及生产工艺又有何关系?怎样来减小元件的正向压降? 为了弄清这一连串的问题,我们对800安硅整流元件进行了正向压降的测试工作。     

提高大功率硅整流元件等级合格率的研究

我所最近研制生产的ZP800—24风冷硅整流元件,采用P~+NN~+结构,全扩散工艺和双角台面造型,从投片开始,最后经全动态测试,等级合格率达到了67％。本文主要论述了与决定等级合格率的主要参数即反向雪崩击穿电压有关的空间电荷区宽度及表面造型,并对大注入情况下的通态平均压降进行了计算及分析讨论。     

硅整流元件的并联连接和串联连接

一、硅整流元件的并联连接当硅整流元件的额定正向电流值较小,不能满足硅整流装置的额定容量时,就需要将它们并联起来使用。在某种情况下,几只容量较小的硅整流元件并联使用,将比单独采用一只容量较大的硅整流元件好。当整流电路的一臂由数只并联元件组成,并且每只元件均有快速熔断器保护时,则整流装置的可靠性可以提高,因为在这     

用中子照射硅制造高压可控硅和整流元件

中子照射是在大直径硅晶体中产生均匀和精确掺磷的一种方法。这种经中子照射后的硅其主要应用是制造高压功率元件。用中子照射硅所得到的电阻率与击穿电压之间的关系是和Sze和Gibbons的理论非常符合的。把通常的掺杂硅改用中子照射硅,在不增加n基区宽度的情况下,可控硅的阻断能力可显著地得到提高。3～5千伏阻断电压的功率可控硅产品已经获得成功,这表示了中子照射硅的应用已经脱离了实验室的范围。     

300A平板型硅整流元件散热器试验小结

Ⅰ前言: 近年来,由于硅整流元件及可控硅元件发展很快,同类型規格的散热器样式很多。特别是平板型元件在电力机車上运用以来,由于机車空间和通风的特殊条件,散热器样式也很多,对使田、维护、制造和組装都带来不便。鉴于300安600伏平板型整流元件在铁路系統內开始批量生     

可控硅和硅整流元件供电的牵引电动机反馈试验台

本文比较详细地介绍了供ZQDR—204和ZQDR—410牵引电动机试验用的、可控硅和硅整流元件供电的反缋试验台的试验原理和电气线路工作原理。对试验台的主要设备也作了扼要的介绍。文章深入浅出、通俗易懂。由于牵引电动机在电传动内燃机车中的地位非常重要,它直接影响着机车的牵引性能,因此在制造或检修的过程中,除了每一工序的仔细检查外,组装以后还要进行严格的性能试验。反馈试验台是进行牵引电动机各项性能试验的重要设备。所谓可控硅和硅整流元件供电,就是用可控硅机组代替原来的线路发电机组,用硅整流机组代替原来的升压发电机组。毫无疑问,这样的反馈试验台同原有旋转机组的相比,具有耗电省、占地少、噪音低、投资廉、节约大量金属以及减轻劳动强度等优点。这样的试验台虽然过载能力较低,但是随着电子技术的不断发展,可以预计可控硅试验线路将会逐步完善并得到越来越多的采用。     

TGZ11型硅整流装置元件烧损的原因及措施

针对SS3型电力机车硅元件烧损情况,分析原因,提出防治措施。     

200安平板型硅整流元件外壳试制工作的一点体会

从今年一月上旬开始试制平板型元件外壳到今年五月,在实践中逐步摸索改进,从对外壳制造工艺不了解到能够批量生产。我们把这五个月中积累的一些点滴体会及现在存在问题向大家汇报一下: (一)开始,一次金属化氢气炉用白色氧化铝炉管,使用时间短,这是因为炉管在1400～1500℃下变软,再受到炉箱内氧化铝粉、耐火砖的压力,受到炉管内瓷件、钼舟的压力,炉管变形很厉害,甚至断裂。后来我们在北京芦沟桥耐火材料厂买到一种灰色的     

SS4改进型电力机车硅整流元件烧损原因分析及对策

通过对机车整流硅机组上的主整流硅元件故障进行统计，分析了造成硅整流元件击穿的主要原因，提出了提高机车整流硅机组整体稳定性的具体改造措施，并说明了实施效果。     

300A/1200V硅整流元件扩散工序实践小结

我所2CZ300A/1200V硅整流元件生产系采用全扩散工艺,即一次扩散形成P—n结(称P层扩散),二次扩散在P层表面形成一高浓度的P~+层(称P~+层扩散),三次扩散在n层表面形成一高浓度的n~+层(称n~+层扩散)。把好扩散质量关,乃是制造高质量整流元件的重要环节。扩散的质量通常用扩散结深、表面浓度及P—n结的电学特性来衡量。而合     

DF8B型机车硅整流元件击穿的原因及防范措施

分析了DF8B型内燃机车主发电机整流柜硅整流元件击穿的原因，提出了相应的解决措施及应急方案。     

SS3B型电力机车整流柜硅元件烧损分析及对策

针对SS3B型电力机车在运用中发生的硅元件烧损情况，分析了机车整流柜硅元件烧损的原因，提出了相应的防治措施。     

300A/1200V硅整流元件的磨角腐蚀实践小结

表面工作对提高硅整流元件的质量有着重要的意义,通常所说的表面工作,指的是磨角腐蚀和表面保护。本文主要对磨角腐蚀谈谈我们的体会。一、影响磨角腐蚀质量的工艺因素文献资料大部份均着眼于表面电场和斜面的改进,而对磨角腐蚀工艺只给出笼统的概     

硅元件压装机

平板型硅元件与散热器的压装通常使用人工办法,用扳手来紧固螺栓。这种方法劳动强度较大,同时难以保证压装力均一,从而使元件与散热器凸台接触面不紧贴,造成接触导电面积减小,接触电阻大,这样元件工作时压降大、温升高。同时用这种人工方法压装易使元件压破。     

DF_(8B)型机车硅整流元件击穿的原因及防范措施

分析了DF8B型内燃机车主发电机整流柜硅整流元件击穿的原因,提出了相应的解决措施及应急方案。     

大功率硅元件的动向

大功率硅元件发展迅速,1600安2500伏整流元件、1000安2500伏可控硅整流元件和400安2500伏逆导可控硅元件已在机车上使用,元件平均寿命达10~8小时。文中介绍了大功率硅元件在单晶材料、制造工艺、元件结构等方面的动向。     

硅元件的脉冲测试法

前言采用半动态或全动态测试法只能测出硅元件的正向压降平均值。鉴于硅元件伏安特性的非线性,在考虑某些问题时,单知道硅元件的这一参数是不够的。     

p~ nn~ 型高压整流元件的试验

75年,我所进行了800安/3000伏(测试电压)硅整流元件的试制工作,曾选用一部分高阻单晶进行p~ nn~ 结构的试验。试验结果表明:p~ nn~ 结构的主要问题是表面电场。这里拟对前段的试验工作进行简单小结,以供今后制造更高电压等级的硅整流元件时参考,欢迎兄弟单位同志们提出批评指正意见。     

硅元件反应溅射二氧化硅表面保护

一、前言本所过去生产之2 CZ及3 CT硅元件,其表而保护多采用卧式纯O_2反应溅射SiO_2,如图1所示。钟罩内充O_2,维持真空度在10~(-1)～10~(-2)之间,硅棒上加直流负电压1500V左右,硅棒与结片距离30～40mm,在此条件下,