首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到14条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
通过电化学测量方法研究Fe-Mn-Si合金在H2SO4水溶液中的腐蚀行为.结果表明,Fe-Mn-Si合金在打磨过程中发生了应变诱发ε-马氏体转变,其表层结构为奥氏体和ε-马氏体.Fe-Mn合金的自腐蚀电流密度比Fe-Mn-Si合金低1个数量级.Fe-Mn-Si合金在0.1M H2SO4溶液中的腐蚀速度较快,这是因为ε-...  相似文献   

2.
采用测量阳极极化曲线方法,研究了 Fe-(17~28Wt%)Mn 与 Fe-25Wt%Mn-5Wt%Al合金在1M Na_2SO_4水溶液中的电化学腐蚀行为.随 Mn 含量的提高,合金的自腐蚀电流密度-I_(corr)与自腐蚀电位 E_(corr)分别呈近似线性地增大与降低,Fe-Mn 二元合金难以钝化.然而,Fe-Mn 合金加入5Wt%Al,则使 I_(corr)下降,钝化能力增加,同时阳极极化呈现稳定而宽的钝化区.这意味着在 Fe-Mn 合金中加入少量 Al,能显著增进其电化学腐蚀抗力.  相似文献   

3.
利用电化学交流阻抗(EIS)测试技术和Zsimp Win软件拟合技术研究ε-马氏体含量对Fe - 30Mn -5Si合金电化学腐蚀性能的影响规律,研究结果表明:在3.5% NaCl溶液中,实验合金的Niquist图均呈现一个容抗弧,随着合金中ε-马氏体含量的增加,容抗弧直径减小;Bode图表明,电极反应过程的等效电路为...  相似文献   

4.
将AZ31镁合金在pH6.1的0.1mol/L Na2 SO4溶液中长时间浸泡,利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析不同浸泡时间腐蚀产物膜的相结构和形貌变化;利用阳极极化和电化学交流阻抗谱(EIS)测量技术研究AZ31镁合金腐蚀产物膜的形成过程及浸泡时间对合金耐蚀性能的影响规律.研究结果表明:AZ31镁合金在0.1mol/L NaSO4溶液中可形成固态的多孔氧化膜,腐蚀产物膜主要由MgSO4组成;随着浸泡时间的延长,腐蚀产物膜在合金表面的覆盖率和厚度逐渐增加,阳极极化曲线呈现类似于自钝化的现象,且自腐蚀电位逐渐升高,腐蚀电流密度减小,表明腐蚀产物膜对基体具有一定的保护作用;腐蚀产物成膜过程中的EIS均呈现两个容抗弧,具有两个时间常数,两个容抗弧的直径均随浸泡时间的增加而增大,同时相位角平台变宽,相位角提高,说明腐蚀产物膜的厚度越厚,对阻碍反应离子向基体扩散和迁移的影响越大.  相似文献   

5.
用溶胶-凝胶法在Fe32Mn3Al8Cr反铁磁精密电阻合金表面提拉制备Al2O3耐腐蚀防护涂层.采用X射线衍射分析涂层相结构,扫描电镜观察涂层表面形貌.在Fe32Mn3Al8Cr合金表面形成连续、光滑的Al2O3涂层,具有(110)择优取向的γ-Al2O3结构.采用动电位阳极极化法测定涂层的电化学腐蚀性能表明,与原始合金相比较,在1mol/L Na2SO4溶液中,Al2O3涂层的自腐蚀电位提高了571mV,自腐蚀电流密度降低了1个数量级以上,维钝电流密度降低了近1个数量级;在1%NaCl溶液中,自腐蚀电位与原始合金相当,自腐蚀电流密度降低了2个数量级,腐蚀电位高达2000mV(SCE)时仍未发生孔蚀击穿.而且,Al2O3防护涂层的耐均匀腐蚀和耐孔蚀性能均优于1Cr18Ni9Ti奥氏体钢.  相似文献   

6.
用溶胶-凝胶法在Fe32Mn3A18Cr反铁磁精密电阻合金表面提拉制备Al2O3耐腐蚀防护涂层。采用X射线衍射分析涂层相结构,扫描电镜观察涂层表面形貌。在Fe32Mn3A18Cr合金表面形成连续、光滑的Al2O3涂层,具有(110)择优取向的γ-Al2O3结构。采用动电位阳极极化法测定涂层的电化学腐蚀性能表明,与原始合金相比较,在1mol/LNa2SO4溶液中,Al2O3涂层的自腐蚀电位提高了571 mV,自腐蚀电流密度降低了1个数量级以上,维钝电流密度降低了近1个数量级;在1%NaCl溶液中,自腐蚀电位与原始合金相当,自腐蚀电流密度降低了2个数量级,腐蚀电位高达2000mV(SCE)时仍未发生孔蚀击穿。而且,Al2O3防护涂层的耐均匀腐蚀和耐孔蚀性能均优于1Cr18Ni9Ti奥氏体钢。  相似文献   

7.
用溶胶-凝胶法在Fe32Mn3A18Cr反铁磁精密电阻合金表面提拉制备Al2O3耐腐蚀防护涂层。采用X射线衍射分析涂层相结构,扫描电镜观察涂层表面形貌。在Fe32Mn3A18Cr合金表面形成连续、光滑的Al2O3涂层,具有(110)择优取向的γ-Al2O3结构。采用动电位阳极极化法测定涂层的电化学腐蚀性能表明,与原始合金相比较,在1mol/LNa2SO4溶液中,Al2O3涂层的自腐蚀电位提高了571 mV,自腐蚀电流密度降低了1个数量级以上,维钝电流密度降低了近1个数量级;在1%NaCl溶液中,自腐蚀电位与原始合金相当,自腐蚀电流密度降低了2个数量级,腐蚀电位高达2000mV(SCE)时仍未发生孔蚀击穿。而且,Al2O3防护涂层的耐均匀腐蚀和耐孔蚀性能均优于1Cr18Ni9Ti奥氏体钢。  相似文献   

8.
采用阳极钝化时效技术对Fe24Mn4A15Cr合金在1mol/LNa2SO4溶液中、于620mV电位下进行“内源”表面改性处理.利用电化学交流阻抗(EIS)测试技术和ZsimpWin软件拟合技术研究钝化时间对钝化膜稳定性的影响规律,并利用阳极极化测试技术研究阳极钝化改性层在NaCl溶液中的抗点蚀性能.研究结果表明:钝化15min和3h改性层的EIS谱呈现偏移横轴的单容抗弧,电极反应过程的等效电路为R(QR),随钝化时间的增加,容抗弧直径增大,钝化膜电阻RP增加.钝化5h时,改性层的Nyquist图呈现典型的Warburg阻抗,RP增加了15kΩ·cm^2.其在不同Cl^-1浓度(0.3和0.5mol/L)溶液中的阳极极化曲线均呈现自钝化一点蚀击穿过程,与原始合金相比,维钝电流密度减小,点蚀击穿电位升高,具有较好的抗点蚀性能.  相似文献   

9.
采用阳极钝化时效技术对Fe24Mn4Al5 Cr合金在1 mol/L Na2SO4溶液中、于620 mV电位下进行“内源”表面改性处理.利用电化学交流阻抗(EIS)测试技术和Zsimp Win软件拟合技术研究钝化时间对钝化膜稳定性的影响规律,并利用阳极极化测试技术研究阳极钝化改性层在NaCl溶液中的抗点蚀性能.研究结果表明:钝化15 min和3h改性层的EIS谱呈现偏移横轴的单容抗弧,电极反应过程的等效电路为R(QR),随钝化时间的增加,容抗弧直径增大,钝化膜电阻Rp增加.钝化5h时,改性层的Nyquist图呈现典型的Warburg阻抗,Rp增加了15 kΩ·cm2.其在不同Cl-浓度(0.3和0.5 mol/L)溶液中的阳极极化曲线均呈现自钝化-点蚀击穿过程,与原始合金相比,维钝电流密度减小,点蚀击穿电位升高,具有较好的抗点蚀性能.  相似文献   

10.
在奥氏体Fe-Mn基合金表面离子镀1Cr18NigTi不锈钢薄膜,改性后的Fe-Mn基合金在1mol/LNa2SO。溶液中的耐均匀腐蚀性能和在1%NaCl溶液中的抗点蚀能力均明显优于未改性Fe-Mn基合金,甚至略优于1Crl8Ni9Ti不锈钢.Fe—Mn基合金表面改性后的耐蚀性,主要取决于改性层的结构、成分和缺陷.  相似文献   

11.
以NiSO4和Na2MoO4作为成膜主盐制备铝合金表面无铬的Ni-Mo二元化学转化膜,考察了溶液pH值、NiSO4浓度、Na2MoO4浓度、温度对Ni-Mo二元膜耐腐蚀性能的影响.耐腐蚀性试验、电化学分析和SEM表征结果表明:与空白铝合金试片、覆盖Ni一元膜的铝合金试片相比,覆盖Ni-Mo二元膜的铝合金具有更佳的耐腐蚀性能和更为平整的转化膜外观.  相似文献   

12.
采用热扩散的方法使超细Al2O3粉进入AZ80镁合金的表层以提高其耐蚀性.研究结果表明,热扩散处理温度、处理时间与AZ80镁合金耐蚀性的提高关系密切.随处理时间的延长和处理温度的升高,合金的耐蚀性提高,腐蚀速率由未进行处理的153.75 mg/dm2.h降到13.75 mg/dm2.h,且存在一个最佳处理温度为410℃.  相似文献   

13.
月桂基咪唑啉缓蚀剂的合成及缓蚀性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
以月桂酸与多胺(羟乙基乙二胺、二乙烯三胺)为原料,采用真空脱水法合成了A、B两种月桂基咪唑啉,用丙烯酸甲酯作为烷基化试剂,合成了两种咪唑啉衍生物缓蚀剂.用IR、静态失重法、Tafel极化曲线、SEM、能谱分析等检测方法考察所合成缓蚀剂的结构及其性能.研究表明月桂酸与多胺在150℃和200℃于10 mmHg的真空度下两次分段脱水,合成出了月桂基环状咪唑啉;所合成的A、B两种缓蚀剂在用量很小的情况下缓蚀率可达90%以上,缓蚀剂B效果较稳定,用量增加对缓蚀率的提高影响不大,缓蚀剂A在月桂酸与羟乙基乙二胺摩尔比为1∶1.3时,缓蚀率随用量的增加而增大,用量在5 mL左右的缓蚀率可达到99%.  相似文献   

14.
强流脉冲离子束辐照合金Ti6Al4V的耐蚀性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用强流脉冲离子束(HIPIB)技术改性合金Ti6Al4V.HIPIB辐照合金试样的相结构不发生变化,但合金基体α-Ti的XRD衍射峰均发生向高角方向的漂移和宽化.辐照合金Ti6Al4V试样的硬度为4.2 GPa,硬化深度近600μm.辐照试样在1mol/L HCl溶液中呈自钝化现象,辐照试样与原始试样的维钝电流密度相当,但自腐蚀电位显著提高.HIPIB辐照具有改善合金Ti6Al4V耐蚀性作用.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号