MOFs衍生碳基材料处理有机废水的研究进展

近些年金属有机框架材料（MOFs）衍生碳基材料可以作为绿色的吸附剂和高效的过硫酸盐催化剂而被广泛应用。介绍了MOFs材料的制备工艺以及分析各自优缺点。详细综述了MOFs衍生碳材料活化过硫酸盐降解有机废水的机理，主要包括MOFs衍生金属化合物、MOFs衍生的无金属碳材料、MOFs衍生过渡金属/碳复合材料。最后对MOFs衍生碳材料吸附去除和吸附/氧化耦合处理污染有机物废水的应用情况进行了总结归纳。     

串图的边色数

设G（V,E）为连通简单图,V（G）={v10,v20,…,vp0}.M(G,n)称为G的n级串图,其中V（M（G,n))={vij|i=1,2,…,p;j=0,1,…,,n},E(M(G,n))={vjkvjk|i=1,2,…,n;0≤k≤n,且vi0vj0∪E（G）}∈{vijvij 1|i=1,2,…,p;j=0,1,…,n-1}。证明了对于n≥1,M(G,n)的边色数为其最大度△（M（G,n））。     

关于图的反符号星控制数

引入了图的反符号星控制的概念,设G=（V,E）是一个没有孤立点的图,一个函数f：E→＋{1,-1}对一切点v∈V（G）所在的星中的边e有∑f（e）≤0成立,则称,为图G的一个反符号星控制函数．而γ’rss（G）=max{∑f（e）｜f为图G的反符号星控制函数,e∈E（G）}称为图G的反符号星控制数．我们主要给出了图的反符号星控制数的上界,并确定了完全图与完全二部图的反符号星控制数．     

偶图符号控制数的下界

设G=（V,E）是一个图,一个实值函数f：V→{-1,＋1}满足∑v∈N[u]f（v）≥1对一切u∈V（G）都成立,则称f为图G的一个符号控制函数。图G的符号控制数定义为γs（G）=min{∑v∈V（G）f（v）｜f为图G的符号控制函数}。研究了偶图的符号控制问题,主要给出了偶图符号控制数的两个下界。     

完全图的Mycielskian图的边色数

对图G(V,E)，μ（G）称为G的Mycielskian的图，V（μ（G））=V（G）∪{v’|v∈V（G）}∪{w}且w不属于V(G），而E（μ（G））=E（G）∪{uv’|uv∈E（G）}∪{wv’|v∈V（G）}。本文得到了完全图μ（G）的边色数。     

若干图的Mycielski图的临强边色数

对图G（V，E），μ（G）称为G的Mycielski图，V（μ（G））=V（G）∪{v′|v∈V（G）|∪{w}，且w不属于V（G），而E（μ（G））=E（G）∪{uv′|u∈V（G），v′∈V′，且uv∈E（G）}∪{wv′|v′∈V′}。其中，w不属于V（G），V′={v′|v∈V（G）}。     

关于图的反减圈控制数

设G=（V,E）是一个图,C为G的导出圈,函数厂：E→｜＋1,0,-1｜,如果对任意e∈E（C）均有∑f（e）≤0成立,则称f为图G的一个反减圈控制函数,称ymc（G）=max{∑f（e）｜f为G的反减圈控制函数,e∈E（G）}为图G的反减圈控制数．本文给出了图的反减圈控制数的上界和极大平面图及几类特殊图的反减圈控制数．     

关于图的反符号圈控制数

摘要：引入了图的反符号圈控制的概念,设G=（V,E）是一个非空图,一个函数f：E→{＋1,-1}对G中每一个无弦圈C均有∑e∈E（G）f（e）≤0成立,则称厂为图G的一个反符号圈控制函数,而γ′rsc（G）=max{∑e∈E（G）f（e）｜f为图G的反符号圈控制函数｜称为图G的反符号圈控制数。给出了图的反符号圈控制数的界限,刻画了满足γ′rsc（G）=-｜E（G）｜＋2的所有连通图G,并且确定了图与补图以及几类特殊图的反符号圈控制数。     

若干图的 Mycielski 图的全色数

对图G(V，E)，μ(G)称为G的Mycielski图，V(μ(G))=V(G)∪{v’|v∈V（G）}∪{w} E（μ（G））=E（G）∪{uv’|u∈V（G），v’∈V’且uv∈E（G）}∪{wv’|v’∈V’}其中w不属于V（G），V’={v’|v∈V（G）}。本文得到了路、圆、扇、轮、星、完全图的Mycielski图的全色数。     

关于Cm o Cn和Cm o Pn星全色数

对于一个图G=G（V（G）,E（G））,用V（G）和E（G）表示图的顶点集合和边集合.图G的3个顶点的路边和顶点着有5种色,跑遍图G的所有k星全着色所取得的最小数k称为图G的星全色数,简记为sχt（G）.主要研究了Cm o Cn和Cm o Pn2种冠图的星全染色规律,并得出它们的星全色数.     

图的反符号星k控制数

设G=(V,E)是一个图,一个函数f:E→-1,+1如果∑f(e)≤0 e∈E[v]对于至少k个顶点v∈V(G)成立,则称f为图G的一个反符号星k控制函数,其中E(v)表示G中与v点相关联的边集.图G的反符号星k控制数定义为γrkss(G)=max{∑f(e) e∈E│f为图G的反符号星k控制数}。得到了一般图的反符号星k控制数的若干上界,对文[6]中的结果进行了推广,还确定了路Pn和圈Cn的反符号星k控制数。     

关于图的两类边控制数

引入了图的反符号边全控制的概念．设G=（V,E）是一个图,N（e）表示G中与e相邻的边集,函数f：E→{＋1,-1},如果对任意e∈E（G）均有∑f（e’）≤0,其中e’∈N（e）,则称,为图G的一个反符号边全控制函数．而γ’st（G）=max{∑f（e）｜f为G的反符号边全控制函数,e∈E（G）称为图G的反符号边全控制数．分别给出了图的反符号边全控制数和^符号边控制数的一个界限,并确定了轮图的反符号边全控制数和完全偶图Km,n的珏符号边控制数的下界．     

二茂铁对双层类脂膜的修饰及对抗坏血酸的催化研究

采用二茂铁对双层类脂膜进行修饰,考察了修饰膜的电化学行为,发现二茂铁在双层类脂膜中起到跨膜传递电子的作用。进一步研究抗坏血酸在二茂铁-双层类脂膜上的电催化氧化反应,发现氧化峰电流与其浓度在5.0×10-6～5.5×10-3mol·L-1范围内呈良好的线性关系,检测下限为1.0×10-6mol·L-1,可用于抗坏血酸的定量检测。     

核桃壳对废水中Cr(Ⅵ)的静态吸附特性研究

采用废弃核桃壳对Cr(Ⅵ)浓度为20mg·L-1的模拟水样进行了静态吸附实验研究.实验结果表明,对于Cr(Ⅵ)浓度为20mg·L-1的50mL水样,当温度为25℃,采用粒径为1.0-1.6mm新疆核桃壳1.0 g、介质pH值为1.0、吸附时间为180min处理废水时,Cr(Ⅵ)的去除率可以达到99.3%.吸附后的水中C...     

关于图的负k-子确定数的上界

设G=(V,E)为一个n阶无向简单图,N(v)={u∈V|uv∈E},k为一个整数(1≤k≤n).若函数fV→{-1,1}满足条件:V中至少有k个顶点v,使得f(N(v))≤1成立,则称f为图G的一个负k-子确定函数.称βkD(G)=max{f(V)|f为图G的负k-子确定函数}为图G的负k-子确定数.文中主要给出了图...     

图的符号控制数的下界

设G是一个图,一个函数,f.V→{-1,+1}如果∑v∈N[u]f(v)≥1对于每个点u∈V成立,则称f为图G=(V,E)的一个符号控制函数.一个图G的符号控制数定义为γs(G)=min｛∑v∈V(G)f(v)|f为图G的符号控制函数｝.该文主要给出了一个图G的符号控制教γs,(G)的若干新下限,并刻划了满足γs,(G...