SiNx薄膜的光致发光研究

用射频磁控溅射技术制备了氮化硅薄膜,室温下测试了薄膜的光致发光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE),对薄膜材料的发光特性进行了分析.结果表明,在可见光范围内薄膜有很好的光致发光性质.在波长为381 nm的光激发下,SiNx薄膜的主要发光峰位于520 nm(2.38 eV), 553 nm(2.24 eV), 573 nm(2.16 eV),587 nm(2.11 eV)和627 nm(1.98 eV),主要来自电子在导带与缺陷能级才以及缺陷能级与价带之间的辐射复合.     

ZnS：TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件（TFEL）的发光亮度，自行配制了氟化铥（TmF3)，并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件，研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3发光器件发光特性的影响，实验结果显示，当掺杂浓度为1．2％mol时，发光亮度最强。     

Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能

用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373~383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510~540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.     

退火温度对溶胶-凝胶法制备（Na,Mg）：ZnO薄膜特性的影响

利用溶胶-凝胶法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Na,Mg):ZnO薄膜.重点研究了退火温度对薄膜结构性质的影响.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱表明退火温度过高或过低都不利于薄膜良好表面形貌的形成及c轴择优取向生长.在一定范围内退火温度的升高,会使薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜表面形貌及c轴择优取向性得到改善,560℃为实验条件下的最佳退火温度.样品的荧光光致发光(PL)谱表明经560℃退火后的(Na,Mg):ZnO薄膜具有很少的缺陷及较高的结晶质量,是良好的紫外发光材料.     

磁控溅射掺铝氧化锌薄膜制备及其光电性能分析

通过改进AZO薄膜的制备工艺,提高了AZO薄膜的光学与电学性能、完善了制备工艺,克服了成膜温度较高等不足,成功制备出性能优良的AZO薄膜.通过对新制备的AZO薄膜样品进行XRD和SEM测试,深入分析了影响薄膜结构和电性能的物理因素,获得了最佳制备工艺条件.在室温34℃、溅射功率1 000 W、溅射气压0.052 Pa、溅射时间87 min条件下,溅射产额最高,离子能量最高,可形成性能最优的AZO薄膜结构和形貌.     

溶胶凝胶法制备ZAO薄膜

采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了Al3+离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.     

溶胶凝胶法制备ZAO薄膜

采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的A l3 离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了A l3 离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.     

高效率制备超导涂层导体SmBiO_3缓冲层

为了缩短高温超导涂层导体缓冲层薄膜制备周期,采用自开发的前驱溶液,以乳酸为溶剂,硝酸钐和硝酸铋为溶质,在应由表面氧化外延法所得的衬底(NiO(l00)/NiW)上,用化学溶液沉积快速制备了SmBiO_3缓冲层薄膜,研究成相温度对SmBiO_3薄膜的影响;在SmBiO_3薄膜上沉积YBa_2Cu_3O_7-δ超导层,检验其效用.研究结果表明:在798.5℃下制备的SmBiO_3缓冲层薄膜平整致密,并且高度织构,缓冲层薄膜制备周期缩短到2h以内;在SmBiO_3上所沉积的超导层薄膜超导转变温度为89K,超导临界电流密度为1.46MA/cm2(77K、0T),达到了某些电力应用要求;该SmBiO_3薄膜制备方法可用于高温超导涂层导体的快速制备.     

发光材料掺量对蓄能发光涂料性能的影响

简要介绍了蓄能发光涂料的作用和意义,探讨了发光材料掺量对蓄能发光涂料制备工艺以及发光性能的影响。     

ICP-PECVD法制备类金刚石膜

以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-PECVD)法制备了类金刚石薄膜,使用.FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行r表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断(OES).研究了射频功率和基底在放电腔体中的佗置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响.实验结果表明:A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小.光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势.结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素.