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相似文献
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1.
采用杂化密度泛函方法对MnO的电子结构进行了研究.结果表明,杂化密度泛函方法明显改进了理论与实验的符合.MnO为电荷转移绝缘体,采用离子模型能较好地解释其电子结构.  相似文献   

2.
采用格林函数退耦合方法,研究了杂化势对周期性安德森模型电子结构的影响,结果表明,费米能处的态密度随杂化势的增强而有系统的变化,可由单峰结构劈裂成双峰结构,并在费米能附近形成赝隙或能隙。  相似文献   

3.
采用第一性原理计算研究了Fe{O(CH2CO2)2}(H2O)2(NO3)晶体的电子结构及磁性。该计算采用密度泛函理论(DFT)结合投影缀加波(PAW)方法。计算结果表明,化合物Fe{O(CH2CO2)2}(H2O)2(NO3)具有反铁磁基态,这种反铁磁相互作用来自于最近邻的铁离子;每个分子的自旋磁矩是4.99μB,这和实验结果也是相吻合的。  相似文献   

4.
二氯二硫脲合镉晶体的电子结构与光学性质的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用基于平面波赝势方法(PWP)和局域密度近似(LDA)的第一性原理方法,研究了二氯二硫脲合镉(BTCC)晶体的电子结构,能态密度和线性光学性质。研究表明BTCC晶体属间接带隙晶体,带隙值为3.81 eV;电荷密度分析反映Cd和Cl原子,以及氢键对分子组合以及排列结构有重要影响。采用密度矩阵理论计算了介电常数和折射率,理论结果与实验符合甚佳。  相似文献   

5.
采用第一性原理计算方法研究了c/a形变下FeNCN晶体的电子结构。结果表明在c/a形变下FeNCN晶体经历了半金属性到金属性的变化,当c/a不大于2.5时,FeNCN晶体表现为半金属性;当c/a大于2.5时,FeNCN晶体表现为金属性。Fe原子是晶体分子磁矩的最主要的贡献者,其自旋磁矩受c/a变化的影响程度较小。当FeNCN晶体表现为半金属性时,其分子磁矩能维持在稳定的整数值8.00μB;随着c/a的增加,分子磁矩逐渐减小。对c/a为2.3时FeNCN晶体电子结构的研究表明:此时自旋向上的子能带表现出间接带隙的半导体特征,晶体的半金属隙为0.11 eV。  相似文献   

6.
用第一性原理研究了RCrO4(R=Er和Tm)氧化物的电子能带结构和半金属铁磁性,发现锆石相的RCrO4是优质的半金属铁磁材料,具有达到0.35eV的半金属能隙。为了研究磁相互作用的机制,采用密度泛函理论和广义梯度近似计算电子能带结构、态密度和自发磁矩,发现其磁性来源于R的f轨道电子、Cr的d轨道电子和O的p轨道电子的自旋极化。穿过费米能级的能带主要来源于R(4f)-O(2p)-Cr(3d)的杂化能级,并对磁性和电子输运性质起着关键作用。  相似文献   

7.
通过第一性原理计算对Co掺杂ZnO稀磁半导体的磁学性质和电子结构进行了研究.对氧空位出现在不同位置时体系总能进行计算,证实氧空位更容易在Co原子附近生成.电子结构计算表明Co-3d自旋电子在费米能级附近产生了自旋极化现象,提供局域磁矩;通过研究两个Co原子掺杂ZnO体系的电子结构,证实铁磁性的产生是两个Co原子耦合的结果,氧原子起到了一定的调制作用.  相似文献   

8.
基于密度泛函理论,采用平面缀加波的广义密度近似的PBE泛函和准粒子近似的GW方法对典型的半导体硅Si和砷化镓GaAs的能带结构进行了研究;同时研究了Si和GaAs的光吸收谱,并利用多体微扰理论的BetheSalpeter方程(BSE)进行了修正。计算结果表明,准粒子近似的GW方法对Si和GaAs的能隙预测结果和实验值符合较好,考虑了电子—空穴对激子效应的GW-BSE多体微扰方法计算的Si和GaAs的介电函数吸收谱与实验谱符合最佳;研究说明激子效应在半导体光谱性质分析方面十分重要。  相似文献   

9.
在现代图书馆高速发展的时代,电子阅览室功能日益增多。如何利用好我院电子阅览室的功能和搞好管理,更好地为生提供优质的服务,是图书管理者应该思考的问题本文对此进行了一些探索。  相似文献   

10.
提出了用数字计算机对电力电子电路进行仿真的一种新的方法,半导体开关被描述成一种二元电感模型,在它导通期间,共电感值很小;而在它截止期间,其电感值为穷大,本文中给出了如何确定此小电感值的方法,采用改进节点法来建立方程,再利用BackwardEuler积分方法来求解以确保值其收敛性,该方法能有效监控开关的状态,拓扑结构的变化通过量少的计算予以解决。  相似文献   

11.
鉴于汽车自动变速器中的电子节气门具有非线性、不确定性等特性,并且要求电子节气门在不同的工况下、不同的车辆中都能达到实时精确的控制,提出了基于自调整函数并带积分项的智能模糊控制的原理和控制算法,仿真验证了该算法的有效性.  相似文献   

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