退火温度对溶胶-凝胶法制备（Na,Mg）：ZnO薄膜特性的影响

利用溶胶-凝胶法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Na,Mg):ZnO薄膜.重点研究了退火温度对薄膜结构性质的影响.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱表明退火温度过高或过低都不利于薄膜良好表面形貌的形成及c轴择优取向生长.在一定范围内退火温度的升高,会使薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜表面形貌及c轴择优取向性得到改善,560℃为实验条件下的最佳退火温度.样品的荧光光致发光(PL)谱表明经560℃退火后的(Na,Mg):ZnO薄膜具有很少的缺陷及较高的结晶质量,是良好的紫外发光材料.     

等离子体制备铁纳米粉末的性能表征

采用阳极弧放电等离子体制备了高纯铁纳米粉末．并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(ED)测试手段对样品的物相、晶体结构、形貌、粒度及其分布进行性能表征；利用BET吸附法测定比表面积；利用X射线能谱仪(EDS)测定试样所含的元素；采用元素分析仪测定C、H、N、O含量．实验结果表明：本法所制备的铁纳米粉末的纯度高，晶体结构与相应的块体材料基本相同，为bcc结构的晶态，平均粒径为43nm，粒径范围分布在20～70nm，呈规则的球形链状分布，比表面积为17．54m^/g．     

氢对(FeCo)_xGe_(1-x)磁性半导体结构成分及价态影响

利用磁控溅射技术在氩氢混合气氛以及纯氩(Ar)气氛中分别制备(FeCo)_xGe_(1-x)-H和(FeCo)_xGe_(1-x)磁性半导体薄膜。对于2种磁性半导体薄膜,采用X射线衍射仪测量表明,加氢对(FeCo)_xGe_(1-x)-H的非晶结构没有影响;红外光谱测量结果显示,与氢钝化Si的悬挂键不同,氢没有钝化Ge的悬挂键;X光电子能谱测量结果表明,(FeCo)_(0.70)Ge_(0.30)-H和(FeCo)_(0.70)Ge_(0.30)薄膜中的(FeCo)与Ge的相对原子比值与样品制备时设定的比值一致,(FeCo)_(0.70)Ge_(0.30)-H薄膜中Fe、Co和Ge元素的能谱峰位置与(FeCo)_(0.70)Ge_(0.30)薄膜中对应元素的能谱峰位置基本一致,原因可能是Fe(Co)原子和H原子之间结合能化学位移很小, XPS仪器分辨率较低,因而未被检测出来。     

退火温度对化学水浴沉积CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴沉积法(CBD)制备了CdS薄膜,用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计进行检测.研究了退火温度对CdS薄膜表面形貌、成分、晶体结构和光学性能的影响.研究表明,CdS薄膜为微晶或是非晶态,S/Cd原子比在0.8左右,可见光透过率较高;随着退火温度的升高,薄膜结晶明显,但是透光率下降,禁带宽度范围在2.42～2.59eV之间.     

Cu2O多晶薄膜的制备与电阻开关效应研究

采用特殊的电化学制备方法,在铜基片上直接制备了一层微米厚度的氧化亚铜(Cu_2O)薄膜.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对样品的形貌和结构进行了常规表征.通过喷涂,在Cu_2O表面镀上一层金(Au)膜,制成了Au/Cu_2O/Cu器件.进一步研究发现,该器件具有电阻开关效应.研究表明,该方法制备的电阻开关具有较低开关电压、较高阻值比及良好开关稳定性.这为电阻开关的研究提供了新的方向.     

纳米ZnO的一步法制备及其光催化性能

以乙酸锌[Zn(CH_3COO)_2·2H_2O]为前驱体,在不同温度下,采用一步热解法合成纳米氧化锌(ZnO),并用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS)等进行表征.以亚甲基蓝(MB)、罗丹明B(RhB)和甲基橙(MO)等为模拟污染物,以考察ZnO的紫外光催化性能.结果表明:制备温度对纳米ZnO光催化性能影响显著,550℃热解温度下制备的纳米ZnO光催化活性最佳,光照40 min后,三种模拟污染物降解率均能达到100%.     

Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)浸渍提拉法(基于组装的小型提拉装置)在普通玻璃片上制备出ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对其进行了分析比较.结果表明:Al3+浓度为1.0%的ZAO薄膜表面最为致密均匀;随着退火温度的提高,薄膜的晶体平均粒径明显增大,电阻率逐渐减小;不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均在70%以上,当Al3+浓度为1.5%时,550℃退火2h,电阻率最小,为5.9×10-2Ω*cm.     

水热法制备润湿性可调控的金红石型TiO2

以氯化钠饱和的三氯化钛为前驱体,以普通载玻片为生长基材,利用水热反应,在160℃温度下反应5 h,成功制备得到了二氧化钛纳米薄膜材料.然后利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、接触角等测试手段对样品进行了分析表征.研究结果表明:合成得到的纳米TiO2具有金红石型结构,其晶粒尺寸仅为9 nm;由这种纳米微粒形成的薄膜呈现出微米-纳米复合结构形态.经过紫外光辐照,这种薄膜材料的表面润湿性由强疏水性向超亲水性转变,而且这种转变具有光控可逆性.     

SnO2纳米薄膜的制备及光学性能研究

采用热蒸发法制备氧化锡薄膜,结合相关理论制定了一系列实验.在不同的工艺条件下制备了氧化锡薄膜,研究了温度、基片距离和环境压力对薄膜的影响,并利用X射线衍射仪、拉曼谱仪对薄膜进行了成分及结构测试,用阴极发光方法测定了薄膜的发光性质.     

溶胶凝胶法制备ZAO薄膜

采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了Al3+离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.     

Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化

用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度下,从光致发光光谱得到的带隙能量略大于通过透射光谱计算的结果,但是两者的增长率非常接近。     

N掺杂的ZnO薄膜发光性质研究

以醋酸锌为前驱体、醋酸铵为掺杂源,采用溶胶—凝胶法制备出N掺杂的ZnO薄膜,研究了其表面形貌、晶体结构和变温下的光致发光光谱,探讨了N作为受主掺杂的热力学性质。结果表明,掺杂后的薄膜是六角纤锌矿结构,光谱中表现出和N相关的受主束缚激子、自由激子—受主和施主—受主对发光现象。通过理论计算得到,N作为受主的电离能大小为0.255~0.310 eV,表明N是一种有效的浅受主,其能级上的电子在较小的能量下就能够电离。     

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜,研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽力均仅为6～7G,呈现典型的稀磁及磁各向同性特征;而对于多晶Zn1-CoxO薄膜,其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征;同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．     

ZnO纳米纤维的制备及其气敏特性研究

应用静电纺丝法制备了Zn（Ac）/PVP复合纳米纤维,经650℃煅烧后得到直径为95 nm的ZnO纳米纤维.分别采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对ZnO纳米纤维的表面形貌和晶体结构进行了表征.结果表明：ZnO纳米纤维由粒径约30～50nm的微粒组成,为粗糙多孔的网状结构.同时,研究了ZnO纳米纤维传感器的气敏特性.测试结果表明：该传感器在300℃时对低浓度（10 ppm）的乙醇具有高灵敏性和很好的选择性.另外,讨论了ZnO纳米纤维的气敏机制.     

CaCO_3填充PVC的机械化学改性

用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)和红外光谱(IR)等表征方法,研究了碳酸钙填充改性PVC的制备及其影响因素.结果表明:碳酸钙含量少时,研磨后颗粒分散效果不好;随着碳酸钙含量的增加,分散均匀,达到95%时分散最好,此时由扫描电镜和能谱分析可发现两者发生包覆现象;当碳酸钙含量增大到100%时,颗粒发生团聚;从X射线衍射分析可以看出,研磨后碳酸钙的晶型发生很大变化,由晶态向非晶态转变;从红外光谱图可以看出,研磨后物质的官能团发生变化,证明PVC包覆CaCO3过程中,PVC内部结构发生很大变化.     

温度对ZnO纳米结构表面形貌和光学特性的影响

利用电子束反应蒸发(REBE)技术、多晶ZnO(纯度99.99%)陶瓷靶为原料、在NH3/H2混合气(NH3的体积比2.7 1%)环境下生长了ZnO纳米结构材料,研究了衬底温度对所获得ZnO纳米结构材料在表面形貌、结晶质量、Raman散射及荧光特性等方面的影响。结果表明较高的生长温度(～500℃)有利于获得ZnO纳米针/纳米柱,而在相对衬底温度(～400℃)较低时容易得到具有花状形貌的ZnO纳米结构。     

8-羟基喹啉铝晶体的制备与表征

报道了制备较高纯度有机电致发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)及其微晶的方法;通过X射线衍射谱(XRD)、红外吸收光谱、荧光光谱及扫描电子显微镜(SEM)测试分析,对Alq3微晶的结构和特性进行了表征。XRD证实了微晶主要成份为α-Alq3,并含有少量δ-Alq3;红外吸收光谱显示,Al-N键的伸缩振动模式对应谱峰407 cm-1,418 cm-1处,Al-O键的伸缩振动模式对应谱峰523 cm-1,542 cm-1,548 cm-1处,说明晶体中N、O分别与Al3+发生了配位,标定了微晶中喹啉环的存在;荧光光谱检测得到Alq3微晶在固态、(氯仿)溶液中的荧光发射谱峰分别位于500 nm、512 nm处;通过SEM观测了Alq3微晶的形貌,分析得到Alq3晶粒呈现六方形结构。     

Nc-Si Thin Film Deposited at Low Temperature and Nc-Si Heterojunction Solar Cel

IntroductionMuchworkhasbeendonetostudythestruc-tureandpropertiesofthehydrogenatednano-crystallinesilicon(nc-Si∶H)thinfilmsinthepastfewyears[1～3].Ithasbeenreportedthatthesefilmshavemanygoodopticalandelectricalproper-ties[4～6].Severaldepositiontechniqueshavebeenestablishedtopreparenc-Si∶Hthinfilms,includ-ingplasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD),hotwirechemicalvapordeposition(HWCVD)[7,8]andreactivemagnetronsputter-ing[9]withthesubstratetemperaturevaryingfrom150to250°C.Comparedwi…     

脉冲激光沉积 ZnO 薄膜的微结构及发光性能

用波长为1064nm的Nd—YAG激光器，在氧的活性气氛中，通过激光烧蚀Zn靶在Si（111）衬底上获得ZnO薄膜．用电子显微镜（XRD和FESEM）表征ZnO薄膜的结构和表面形貌，用光致发光谱表征光学性质．实验中观察到紫外光发射和深能级的黄绿光发射．紫外光发射是ZnO薄膜的固有性质，深能级光发射是由于存在氧反位缺陷（OZn）．紫外光发射和深能级光发射的强度依赖于薄膜的表面粗糙度．表面粗糙度在nm级范围内的ZnO薄膜可以获得高强度的紫外光．