交通部铁工系统硅元件制造经验交流会议

自从去年铁工系统硅元件制造与应用座谈会以来,铁工系统研制硅元件厂、所的广大职工坚持“奋发图强”、“自力更生”的方针,大胆实践,不断总结,使元件装车合格率有较大幅度的提高。为了进一步掌握硅元件生产规律和不断提高硅元件的质量,根据部铁工组指示精神于十月二十六日至十月三十一日在田心工厂召开了铁路工业系统硅元件制造经验交流会。参加会议的有工厂、研究院所等九个单位。交通部铁工组有关同志出席了会议。会议遵照毛主席“工业管理问题,特别耍强调质量问题”的教导,学习了中央负责同     

可控硅机组的元件击穿监视系统

一、前言韶山2型电力机车改为可控硅无级调压后,全车六台硅机组共用了360个可控硅和288个整流元件。为了安全运行,设计上已考虑到串联元件数及并联支路数均留有裕量。这样,只要能及时发现并排除故障元件,就可以避免发展成为桥臂击穿之严重事故,确保机车安全运行。早期试制的硅整流器机车,曾设置了监视系统。但是,随着硅整流元件质量提高,设     

硅整流元件的并联连接和串联连接

一、硅整流元件的并联连接当硅整流元件的额定正向电流值较小,不能满足硅整流装置的额定容量时,就需要将它们并联起来使用。在某种情况下,几只容量较小的硅整流元件并联使用,将比单独采用一只容量较大的硅整流元件好。当整流电路的一臂由数只并联元件组成,并且每只元件均有快速熔断器保护时,则整流装置的可靠性可以提高,因为在这     

SS4改进型电力机车硅整流元件烧损原因分析及对策

通过对机车整流硅机组上的主整流硅元件故障进行统计，分析了造成硅整流元件击穿的主要原因，提出了提高机车整流硅机组整体稳定性的具体改造措施，并说明了实施效果。     

大功率硅元件的动向

大功率硅元件发展迅速,1600安2500伏整流元件、1000安2500伏可控硅整流元件和400安2500伏逆导可控硅元件已在机车上使用,元件平均寿命达10~8小时。文中介绍了大功率硅元件在单晶材料、制造工艺、元件结构等方面的动向。     

硅元件的脉冲测试法

前言采用半动态或全动态测试法只能测出硅元件的正向压降平均值。鉴于硅元件伏安特性的非线性,在考虑某些问题时,单知道硅元件的这一参数是不够的。     

300A/1200V硅整流元件的磨角腐蚀实践小结

表面工作对提高硅整流元件的质量有着重要的意义,通常所说的表面工作,指的是磨角腐蚀和表面保护。本文主要对磨角腐蚀谈谈我们的体会。一、影响磨角腐蚀质量的工艺因素文献资料大部份均着眼于表面电场和斜面的改进,而对磨角腐蚀工艺只给出笼统的概     

交通部铁工系统硅元件制造观摩会议

根据“72年交通部铁路工业系统硅元件制造经验交流会议纪要”精神,于9月6日至23日在株洲电力机车研究所召开了以型式试验为主的硅元件制造观摩会议。参加会议的有铁工系统硅元件研制的厂、所和部科研院金化所、部科情所。     

氖灯在电力机车主整流装置及功率因数补偿装置上的应用

8K型、SS5型和SS6型电力机车的主整流装置及功率因数补偿装置,都采用氖灯作为硅元件的工作状态显示和故障监测。作者对8K和SS6机车在牵引不同级位及制动工况,氖灯装置作为硅元件状态显示作了具体分析,并介绍了利用氖灯装置对硅元件进行故障判断的方法。     

努力提高硅整流元件的上车率

我所制造的硅整流元件是专供电力机车硅机组使用的,要求元件正向电流为300安、反向峰值电压为1200伏。在投片总数中能达到这种要求的元件所占的比率称之为上车率。制造300A/1200V硅整流元件,虽然经历了一段较长的时间,但上车率却一直停留在较低的水平。例如去年完成八百八十七只上车元件,投片约一万二千七百多片。今年以来,     

P—N结少数载流子寿命试验小结

p—n结少数载流子寿命,是硅元件的一个重要参数,它将直接影响元件的电气性能。尤其是对高压大功率元件,随着基区宽度的增加,少子寿命对元件电性能,特别是正向压降的影响,将越来越显著。提高少子寿命,能使元件的电气性能得到一定的改善。     

东风4型内燃机车硅元件参数测试台的研制

本文介绍了新研制的东风４型内燃机车硅元件参数测试台的工作原理，性能和设计特点。该测试台也适用于其它机型上大容量硅元件参数的测试。     

大功率硅元件的发展及展望——国外资料综述

最近4～5年中,大功率硅元件的几个重要性能指标如电压、电流等有了较大的突破。现在已经能大批生产电流及电压定额如下的大功率硅元件。     

DCS-1型单板机控制硅元件自动综合测试台

DCS-1型单板机控制硅元件自动综合测试台是铁道部株洲电力机车研究所根据半导体元件研制和生产需要,为贯彻执行我国大功率硅元件测试标准而研制成功的自动化程度较高的综合测试设备。该测试台能自动施加测试电压、调整工况、采集数据、分析处理、打印结果,并能用示波器显示被测元件的伏安特性,从而能缩短测试时间、减轻劳动强度、消除人为     

SS3B型电力机车整流柜硅元件烧损分析及对策

针对SS3B型电力机车在运用中发生的硅元件烧损情况，分析了机车整流柜硅元件烧损的原因，提出了相应的防治措施。     

用中子照射硅制造高压可控硅和整流元件

中子照射是在大直径硅晶体中产生均匀和精确掺磷的一种方法。这种经中子照射后的硅其主要应用是制造高压功率元件。用中子照射硅所得到的电阻率与击穿电压之间的关系是和Sze和Gibbons的理论非常符合的。把通常的掺杂硅改用中子照射硅,在不增加n基区宽度的情况下,可控硅的阻断能力可显著地得到提高。3～5千伏阻断电压的功率可控硅产品已经获得成功,这表示了中子照射硅的应用已经脱离了实验室的范围。     

RC—1型图示仪——电力机车硅机组不解体检测

RC—1型图示仪(见图1),是一种能在示波器的荧光屏上直接观察 ZP 和 KP 型硅元件反向特性的专用仪器。它利用电桥平衡原理,解决了其他反向测试仪不能检测的带有并联阻容的硅元件的反向伏安特性测试。其测试原理如图2所示,在正常情况下,电桥基本处于平衡状态,O_1、O_2间电位差几乎为零,当元件反向电压加到反向特性曲线拐点时,元件的反向     

瑞士研制的新型逆导GTO晶闸管

由瑞士伦茨堡ABB传动装置有限公司研制的CRG2001-25型大功率半导体元件可在断态电压为2500V的情况下关断2000A的电流,与3μF吸收电容器一起使用。这种新开发的元件采用了自由浮硅技术,降低了功率耗散,可在大功率传动装置中提高开关频率。 CRG2001-25的电路较简单,比传统元件的优点多。它由同一硅片上的逆导GRO晶     

直流反向测试仪

在伟大领袖毛主席“独立自主,自力更生”方针指引下,我国铁道电气化事业正在迅速向前发展。为了不断发展大好形势,我段职工高举“鞍钢宪法”的旗帜,斗志昂扬地向“三化”修车进军,大搞技术革新,“直流反向测试仪”就是其中一项。交流干线电力机车硅整流机组由于功率大,元件较多。如6y_2型机车采用2CZ200A 元件360个,检查和维修时均需普测反向特性。我们以前使用一般反向测试仪,所加电压均     

TGZ11型硅整流装置元件烧损的原因及措施

针对SS3型电力机车硅元件烧损情况,分析原因,提出防治措施。