二次蒸发制备的CuxS薄膜特性研究

在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜.硫在衬底温度为160℃～200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜.实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色,而在190℃左右生成的多晶状的CuxS薄膜,颜色为深绿色.通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和讨论.     

离子注入对CuxS薄膜特性的影响

讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变,很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。     

离子注入对CuxS薄膜特性的影响

讨论了薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上．实验发现氮离子束注入引起了薄膜中的铜与硫成分的改变,很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大．     

SnO2纳米薄膜的制备及光学性能研究

采用热蒸发法制备氧化锡薄膜,结合相关理论制定了一系列实验.在不同的工艺条件下制备了氧化锡薄膜,研究了温度、基片距离和环境压力对薄膜的影响,并利用X射线衍射仪、拉曼谱仪对薄膜进行了成分及结构测试,用阴极发光方法测定了薄膜的发光性质.     

21／4Cr—1Mo钢薄膜试样制备的最佳工艺规范

在５％高氯酸酒精溶液中采用双喷电解抛光技术制备了２１／４Ｃｒ－１Ｍｏ钢薄膜样品，试验了光解抛光温度、电压和电流密度对薄膜试样质量的影响，通过透射电镜分析，确定出当温度为－４０℃，电压为６０Ｖ，电流密度为４．２ｍＡ／ｍｍ＾２，可制出理想的电镜薄膜试样。     

电解质CeO2基薄膜伏安特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备了CeO2基电解质薄膜，测量了CeO2基电解质薄膜的伏安特性，发现在CeO2基电解质薄膜中存在VCNR现象．研究了不同掺杂浓度、不同层数和不同掺杂离子对CeO2基电解质薄膜VCNR特性的影响．     

2Cr—1Mo钢薄膜试样制备的最佳工艺规范

在５％高氯酸酒精溶液中采用双喷电解抛光技术制备了２Ｃｒ－１Ｍｏ钢薄膜样品，试验了电解抛光温度、电压和电流密度对薄膜试样质量的影响，通过透射电镜分析，确定出当温度为－４０℃，电压为６０Ｖ，电流密度为４．２ｍａＡ／ｍｍ２时，可制出理想的电镜薄膜试样．     

二次改性沥青的制备及其混合料特性研究

以聚乙烯(PE)材料为研究对象,在已制备完成的SBS改性沥青中掺入一定量的PE改性剂,对SBS改性沥青进行二次改性,以制备具有更优技术指标的改性沥青,并对二次改性沥青混合料的特性进行了研究。结果表明:随着PE掺加量的增加,改性沥青的软化点逐渐增大,针入度和延度逐渐减小,建议PE的掺量为沥青质量的4%。与SBS改性沥青混合料相比,二次改性沥青混合料的动稳定度明显提高,约为其2倍左右;低温抗裂性能有所降低,但低温破坏应变仍然大于2500με;混合料劈裂强度及冻融劈裂强度皆有所增大,但经过冻融循环后的残留强度比减小。实验结果具有工程实际意义。     

三氧化钨薄膜的制备及其亲水/疏水性能转变研究

在预先用聚多巴胺薄膜处理的玻璃基底上,采用溶胶-凝胶法制备出三氧化钨(WO3)薄膜,用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征手段来分析其物相组成和形貌特征.对WO3薄膜在UV光照射下和黑暗的环境中发生亲水/疏水转换的现象进行研究,最后得出WO3薄膜表面润湿性转化的机理.     

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜,研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性;Zn1-xCoxO薄膜,无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面,其室温矫顽力均仅为6～7G,呈现典型的稀磁及磁各向同性特征;而对于多晶Zn1-CoxO薄膜,其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征;同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．     

退火温度对化学水浴沉积CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴沉积法(CBD)制备了CdS薄膜,用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计进行检测.研究了退火温度对CdS薄膜表面形貌、成分、晶体结构和光学性能的影响.研究表明,CdS薄膜为微晶或是非晶态,S/Cd原子比在0.8左右,可见光透过率较高;随着退火温度的升高,薄膜结晶明显,但是透光率下降,禁带宽度范围在2.42～2.59eV之间.     

ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光学性质研究

采用溶胶—凝胶法分别在透明玻璃和Si衬底上制备出了ZnO薄膜。分别采用X射线衍射仪(XRD)、能量分散谱仪(EDS)、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪对所制样品进行测试,研究了样品的结构特性、成分和光学特性。X射线衍射结果表明,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构;ZnO薄膜的EDS能谱图表明薄膜包含O元素和Zn元素;透射光谱表明ZnO薄膜质量高,在可见光范围内具有较高的透射率,平均透射率在85%以上;吸收光谱表明在带隙处存在吸收边;从PL光谱观察到了显著的紫外发射峰。     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据，分析了酞菁铜／铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性．利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式，对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析，分析了VGS影响OSIT特性的原因．     

Experimental Investigation of Spray Evaporation in Turbulent Flow in Countercurrent Humidifier

IntroductionThe HAT( humid air turbine) cycle is an ad-vanced power generation system with high efficien-cy,low cost,high specific power,excellentoff- de-sign performance and low NOx emissions withoutcomplex system introduction.It has aroused con-siderable interest,and is predicted as an advancedthermal power cycle for this century[1] .The proto-type of modern HAT cycle was proposed by Morietal.,and gotmuch progress recently.HAT cycleuses a working fluid of air,water and steam mix-ture,an…     

Si基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜

采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱（mR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、选区电子衍射（SAED）和荧光光谱（PL）对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜。同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。     

基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果，使用适当电路模型和数学工具，进行数值仿真解析，对其动作机理和电气特性进行了解析和评价．     

Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）浸渍提拉法（基于组装的小型提拉装置）在普通玻璃片上制备出ZnO：Al（ZAO）薄膜,利用扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对其进行了分析比较。结果表明：Al^3＋浓度为1．0％的ZAO薄膜表面最为致密均匀;随着退火温度的提高,薄膜的晶体平均粒径明显增大,电阻率逐渐减小;不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均在70％以上,当Al^3＋浓度为1．5％时,550℃退火2h,电阻率最小,为5．9×10^-2Ω·cm。     

Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化

用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度下,从光致发光光谱得到的带隙能量略大于通过透射光谱计算的结果,但是两者的增长率非常接近。