1 100 A/4500 V逆导型IGCT组件的研究

概述了一种新型可关断电力半导体组件--逆导型IGCT的基本结构及相关技术.介绍了新研制成功的1 100A/4 500 V逆导型IGCT的主要参数和测试波形.     

一种应用于脉冲功率领域的IGCT

介绍一种适用于脉冲功率领域的大功率半导体器件IGCT,简述IGCT器件及其结构,IGCT器件的通流能力强、di/dt高,适于脉冲功率领域应用。进行了脉冲放电的试验并讨论了IGCT的串联应用技术。     

高压三电平逆变器中IGCT串联动态均压电路设计

集成门极换流晶闸管(IGCT)在高压大容量三电平逆变器中的应用非常广泛.为了获得更高的输出电压,通常会将IGCT串联使用,串联结构中器件动态均压是十分关键的问题.文章提出了基于IGCT功能性模型的6 kV/1 250 kW逆变器中动态均压电路的优化设计方法,并对三电平拓扑结构动态吸收电路的特殊瞬变过程进行了仿真,试验结果证明了所设计的均压电路的有效性.     

IGCT高压测试台的研制

集成门极换流晶闸管（IGCT）是一种新型的电力电子器件,在大功率高压变流器中得到广泛的应用。为了配合开发工作,研制了一种IGCT高压测试台,用来测试4500V／4000A等级以下IGCT器件的特性。几组实验验证了该测试台设计的合理性和可行性。     

国内IGCT器件的新进展

概述国内IGCT器件近5年的发展，介绍国产IGCT器件产品，总结了研制取得的技术进步，并给出了IGCT器件的应用方向。     

三电平IGCT变流器换流研究

介绍了IGCT的工作特性和工作原理,对三电平IGCT变流器的换流状态进行了分析,提出了一种三电平IGCT相模块换流试验方法,并对相模块半导体器件的各种换流过程进行了试验研究,结果证明了试验装置和试验方法的合理性和可行性。     

IGCT无吸收和串联工作电路仿真的新型有效的物理模型

文章讨论了用Saber MAST软件完成电路仿真,并精确计算集成门极换流晶闸管(IGCT)静态和动态性能的新物理模型.通过仿真结果与硬开关无吸收工作中4.5 kV/3 kA IGCT的试验结果的比较验证了该模型.此外,文章还分析了2个串联IGCT开关的仿真结果,特别是在忽略无吸收电路时器件特性和门极驱动存在的必然差别引起的关于开关之间阻断电压非均衡分布的问题.还给出了计算吸收容量的一种想法.     

集成门极换流晶闸管器件特性研究

简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。     

IGCT器件及其在变流器上的应用

研制出具有低杂散电感的水冷IGCT相构件模块;制作了1台IGCT变流器试验机组,进行了三相逆变试验,试验结果显示,与同类GTO变流器相比,性能有较大的提高。     

IGCT的换流机理

提出一种独特的IGCT换流等效电路,建立相应的数学模型,并借助Mathematic软件对该模型进行求解;分析了主要参量与换流时间的关系,在此基础上,描述换流后的关断过程,阐明IGCT的换流机理。     

大功率半导体器件封装结构的有限元分析

介绍了压接型大功率半导体器件封装结构的有限元分析方法,利用Ansys有限元分析软件对IGCT这一具有代表性的器件进行了热分析,得出了IGCT芯片两侧热导体的热阻值,从而验证了IGCT结构的合理性。     

IGCT阴极图形排布的优化设计

简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。     

IGCT及其门极驱动电路研究

IGCT作为一种新型大功率半导体开关器件,吸取了GTO和IGBT的优点,但其驱动则需要借助配套的门极驱动电路板才能实现.介绍了IGCT的基本工作原理,并根据驱动电路的要求分析设计原理,对1 100 A/4 500V逆导IGCT集成门极驱动电路的设计方法进行了具体分析和研究,实验结果验证了设计方法的可行性和正确性.     

IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术

概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术,提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案,对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比.新方法应用于集成门极换相晶闸管(IGCT)器件的梳条成型工艺,获得精密的阴极图形,器件的开关性能优良.