平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算

以硅平面工艺生产设备为基础,设计制作了基于外延衬底的IGBT器件,器件的实测输出电流-电压特性良好,阈值电压在3.7～4.8 V之间.将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降,并将计算结果与器件的实测参数进行了比较.结果表明:小电流区段符合较好;但大电流区段由于模型简化和测试系统寄生串联电阻的影响出现偏差,对于同一导通电流,计算值比实测值约小8%.     

IGBT机理建模及其基于神经网络的参数辨识方法

为获取专用的绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型,实现IGBT电路的针对性优化,在Hefner模型的基础上,对IGBT的开通和关断状态进行了机理建模,并重点分析了其暂态过程.在此基础上,提出了基于神经网络优化算法对模型参数进行辨识的方法,获得了单个IGBT元件的机理模型.以一个FGA25N120型的IGBT为例,进行了仿真和实验研究,通过仿真与实验结果的对比,拟合优度达0.9,验证了本文所提机理模型的正确性及基于神经网络辨识所得参数的精确性.      

大功率高压输入的IGBT高频直—直变换器

在高频高压输入的情况下，开关器件绝缘门极双极晶体管（ＩＧＢＴ）的耐压不能满足要求。文中论述了一种逆变单元串联的结构，它将输入的高电压分成几部分，每一部分有一个ＤＣ－ＡＣ逆变器，此时，ＩＧＢＴ的工作电压等于各部分电压。为了提高输出功率、输出整流二极管通常并联连接，变压器的副边漏电感作为二极管的均流电感，并分析了高压输入的大功率ＤＣ－ＤＣ逆变器的工作情况，同时给出了模拟结果和实验结果。